Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide

使用碳化硅开发极端环境电阻式CCD

• 批准号: 15H03967
• 负责人: HIJIKATA Yasuto
• 金额: $ 10.57万
• 依托单位: Saitama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03967/
• 关键词: 炭化ケイ素(SiC)半導体; CCD; ガンマ線照射効果; MOSキャパシタ; 界面準位密度; 埋込チャネル構造; イオン注入; 放射線耐性; 炭化ケイ素半導体; 電荷輸送; バンドギャップ; 埋め込みチャネル構造; フォトリソグラフィー; 電子・電気材料; 放射線; 半導体物性; 光応答; 可視光応答; 反転層形成; 炭化ケイ素; 紫外光応答; 透明電極膜; アレイ化

项目成果

Improvement of radiation response of SiC MOSFETs under high temperature and humidity circumstance

高温高湿环境下SiC MOSFET辐射响应的改善

• DOI: 10.7567/jjap.55.104101
• 发表时间: 2016
• 影响因子: 1.5
• 作者: Akinori Takeyama; Takuma Matsuda; Takashi Yokoseki; Satoshi Mitomo; Koichi Murata; Takahiro Makino; Shinobu Onoda; Shuichi Okubo; Yuki Tanaka; Mikio K;ori; Toru Yoshie; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
• 通讯作者: Takeshi Ohshima

同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定

使用同位素氧在 SiC 表面形成的单光子源的结构估计

• 发表时间: 2019
• 作者: 土方 泰斗;松下 雄一郎;大島 武
• 通讯作者: 大島 武

プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定

质子束光刻形成的 SiC pn 二极管中硅空位的 ODMR 测量

• 发表时间: 2018
• 作者: 千葉 陽史;山﨑 雄一;牧野 高絋;佐藤 真一郎;山田 尚人;佐藤 隆博;児島 一聡;土方 泰斗;大島 武
• 通讯作者: 大島 武

負ゲートバイアス印加によるSiC MOSFETのガンマ線照射劣化挙動

由于施加负栅极偏压而导致的 SiC MOSFET 的伽马射线辐照劣化行为

• 发表时间: 2017
• 作者: 武山 昭憲;松田 拓磨;三友 啓;村田 航一;牧野 高紘;小野田 忍;大久保 秀一;田中 雄季;神取 幹郎;吉江 徹;土方 泰斗;大島 武
• 通讯作者: 大島 武

4H-SiCエピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上

提高4H-SiC外延层堆垛层错附近单光子源的发光效率

• 发表时间: 2017
• 作者: 赤堀周平;古川頼誉;松下雄一郎;大島武;土方泰斗
• 通讯作者: 土方泰斗