Elucidation of formation mechanism of oxidation-induced fault in silicon carbide semiconductors

碳化硅半导体氧化诱发缺陷形成机制的阐明

• 批准号: 24560365
• 负责人: HIJIKATA Yasuto
• 金额: $ 3.49万
• 依托单位: Saitama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560365/
• 关键词: 炭化ケイ素(SiC)半導体; 熱酸化; 積層欠陥; 転位; 酸化界面; SiおよびC原子放出現象; フォトルミネッセンス; 分光偏光解析; 炭化ケイ素半導体

项目成果

Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers

4H-SiC 外延层中氧化引起的堆垛层错的光致发光研究

• 发表时间: 2014
• 作者: Y. Miyano; S. Yagi; Y. Hijikata; H. Yaguchi
• 通讯作者: H. Yaguchi

Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry

原位光谱椭圆光度法研究 SiC 氧化过程的表面取向依赖性

• 发表时间: 2014
• 作者: D. Goto; S. Yagi; Y. Hijikata; H. Yaguchi
• 通讯作者: H. Yaguchi

Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響

伽马射线照射对 Si 和 SiC-MOSFET I-V 特性的影响

• 作者: 横関貴史; 田中量也; 藤田奈津子; 牧野高紘; 小野田忍; 大島武; 田中雄季; 神取幹郎; 吉江徹; 土方泰斗
• 通讯作者: 土方泰斗

堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製

通过沉积和热氧化制备4H-SiC MOS结构

• 作者: 大谷 篤志;八木 修平;土方 泰斗;矢口 裕之
• 通讯作者: 矢口 裕之

土方泰斗のWeb Page

土方康人的网页