Study of the one-dimensional electoronic state of Si(110) surface
Si(110)表面一维电子态研究
基本信息
- 批准号：15K05119
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Etching process of hydrogen-terminated Si(110) vicinal surfaces prepared by a wet chemical process
湿化学工艺制备的氢封端 Si(110) 邻面的蚀刻工艺
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Layli Amaliya; Erina Kawamoto; Tomoyuki Yoneyama; Toshihiro Kawakatsu; Toyoaki Eguchi; Shozo Suto
- 通讯作者：Shozo Suto
水素終端Si(111)-(1×1) 表面上のAg ナノクラスターの成長過程III：蒸着速度依存性
Ag纳米团簇在氢封端Si(111)-(1×1)表面上的生长过程III：沉积速率依赖性
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：姜正敏; 川本絵里奈; 松下ステファン悠; 芳賀健也; 金川詩野; 加藤大樹; 須藤彰三
- 通讯作者：須藤彰三
水素終端Si(110)微傾斜表面に形成される一次元構造
氢封端Si(110)微倾斜表面形成的一维结构
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：江口豊明; 姜正敏; 福井邦虎; 芳賀健也; 川本絵里奈; 須藤彰三
- 通讯作者：須藤彰三
水素終端Si(110)表面のエッチング過程IV：KS方程式による考察
氢封端Si(110)表面刻蚀工艺IV：使用KS方程的考虑
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川本絵里奈; 松下ステファン悠; 山田太郎A; 川勝年洋; 須藤彰三
- 通讯作者：須藤彰三
水素終端Si(111)-(1×1)表面におけるFe原子の吸着構造と電子状態のSTMによる評価
STM评估Fe原子在氢封端Si(111)-(1×1)表面的吸附结构和电子态
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川口諒; 江口豊明; 須藤彰三
- 通讯作者：須藤彰三
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Suto Shozo其他文献
Anisotropic electronic band structure of intrinsic Si(110) studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculations
通过角分辨光电子能谱和第一性原理计算研究本征 Si(110) 的各向异性电子能带结构
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10.1103/physrevb.96.125302 - 发表时间：
2017 - 期刊：
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- 作者：
Matsushita Stephane Yu;Takayama Akari;Kawamoto Erina;Hu Chunping;Hagiwara Satoshi;Watanabe Kazuyuki;Takahashi Takashi;Suto Shozo - 通讯作者：
Suto Shozo
Morphological evolution of Ag nanoclusters grown on hydrogen-terminated si(111)-(1×1) surface: Appearance of quantum size effect at room-temperature
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Suto Shozo
Anisotropic electronic band structure of intrinsic Si(110) studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculations
通过角分辨光电子能谱和第一性原理计算研究本征 Si(110) 的各向异性电子能带结构
- DOI：
10.1103/physrevb.96.125302 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：
Matsushita Stephane Yu;Takayama Akari;Kawamoto Erina;Hu Chunping;Hagiwara Satoshi;Watanabe Kazuyuki;Takahashi Takashi;Suto Shozo - 通讯作者：
Suto Shozo
Atomistic investigation on the initial stage of growth and interface formation of Fe on H-terminated Si(111)-(1×1) surface
H端Si(111)-(1×1)表面Fe生长初始阶段和界面形成的原子研究
- DOI：
10.1016/j.susc.2019.04.002 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：
Kawaguchi Ryo;Eguchi Toyoaki;Suto Shozo - 通讯作者：
Suto Shozo
Atomistic investigation on the initial stage of growth and interface formation of Fe on H-terminated Si(111)-(1×1) surface
H端Si(111)-(1×1)表面Fe生长初始阶段和界面形成的原子研究
- DOI：
10.1016/j.susc.2019.04.002 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：
Kawaguchi Ryo;Eguchi Toyoaki;Suto Shozo - 通讯作者：
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氢封端硅表面的发展和扩散限制条件下金属纳米团簇的生长
- 批准号：
19K03681 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
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- 批准号：
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