High durability of GaAs photocathode by alkali-antimony functional layer
碱锑功能层提高砷化镓光电阴极的高耐久性
基本信息
- 批准号：15K04734
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-10-21 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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专著数量（0）
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