Application of ion beam induced chemical vapor deposition for SiC film formation
离子束诱导化学气相沉积在SiC薄膜形成中的应用
基本信息
- 批准号：25287154
- 负责人：
- 金额：$ 6.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Surface modification of poly(methyl methacrylate) by hydrogen-plasma exposure and its sputtering characteristics by ultraviolet light irradiation
氢等离子体曝光聚甲基丙烯酸甲酯表面改性及其紫外光照射溅射特性
- DOI：10.7567/jjap.52.090201
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：S. Yoshimura;K. Ikuse;S. Sugimoto;K. Murai;K. Honjo;M. Kiuchi;S. Hamaguchi
- 通讯作者：S. Hamaguchi
ゼオライトへの低エネルギーインジウムイオン照射と触媒効果
低能铟离子辐照及其对沸石的催化作用
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吉村智;木内正人;西本能弘;安田誠;馬場章夫;浜口智志
- 通讯作者：浜口智志
Computed multiple tomography for translated field reversed configuration plasma
平移场反向构型等离子体的计算机多重断层扫描
- DOI：10.1109/tps.2014.2321399
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Yoshimura;S. Sugimoto;S. Okada
- 通讯作者：S. Okada
Low energy indium or gallium iom beam injection to SiO2 thin films for development of novel catalysts
将低能铟或镓离子束注入 SiO2 薄膜以开发新型催化剂
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Yoshimura;M. Kiuchi;Y. Nishimoto;M. Yasuda;A. Baba;S. Hamaguchi
- 通讯作者：S. Hamaguchi
Low Energy Indium or Gallium Ion Implantations to SiO<sub>2 </sub>Thin Films for Development of Novel Catalysts
低能铟或镓离子注入 SiO<sub>2 </sub>薄膜用于新型催化剂的开发
- DOI：10.1380/ejssnt.2014.197
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0.7
- 作者：S. Yoshimura;M. Kiuchi;Y. Nishimoto;M. Yasuda;A. Baba;S. Hamaguchi
- 通讯作者：S. Hamaguchi
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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