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Study on performance improvement of SOI MOSFET single-photon detector
SOI MOSFET单光子探测器性能改进研究
基本信息
- 批准号：25286068
- 负责人：
- 金额：$ 11.98万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Fabrication of Triple-Dot Single-Electron Transistor and its Turnstile Operation
三点单电子晶体管的制作及其旋转门操作
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Jo;T. Uchida;A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;A. Fujiwara;Y. Ono;K. Nishiguchi;H. Inokawa and Y. Takahashi
- 通讯作者：H. Inokawa and Y. Takahashi
ホールアレイ型金属回折格子付ＳＯＩフォトダイオードの斜入射光に対する分光感度特性
孔阵列型金属衍射光栅SOI光电二极管斜入射光光谱灵敏度特性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐藤弘明;岩田将平;小野篤史;猪川洋
- 通讯作者：猪川洋
表面プラズモンアンテナ付ＳＯＩフォトダイオードを用いたショ糖水溶液の屈折率測定における性能評価
使用带有表面等离子体天线的 SOI 光电二极管测量蔗糖水溶液折射率的性能评估
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐藤 弘明;岩田 将平;小野 篤史;猪川 洋
- 通讯作者：猪川 洋
Analysis of Hole Lifetime in SOI MOSFET Single-Photon Detector
SOI MOSFET单光子探测器的空穴寿命分析
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0.2
- 作者：Kidist Moges;Bing Hu;Hongxi Liu;Tetsuya Uemura;and Masafumi Yamamoto;Dedy Septono Catur Putranto,Wei Du,Hiroaki Satoh,Atsushi Ono,Purnomo Sidi Priambodo,Djoko Hartanto,Hiroshi Inokawa
- 通讯作者：Dedy Septono Catur Putranto,Wei Du,Hiroaki Satoh,Atsushi Ono,Purnomo Sidi Priambodo,Djoko Hartanto,Hiroshi Inokawa
表面プラズモンアンテナ付フォトダイオードを用いた屈折率測定の高感度化
使用带有表面等离子体天线的光电二极管进行高灵敏度折射率测量
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐藤弘明;岩田将平;小野篤史;猪川 洋
- 通讯作者：猪川 洋
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- 影响因子：0
- 作者：
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- 作者：
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Fujiwara Akira
Inokawa Hiroshi的其他文献
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