Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation

SiC-MOSFET 及其与沟道迁移率下降相关的 MOS 界面缺陷的电子自旋共振研究

基本信息

批准号：
25286054
负责人：
Fujinoki Takahide
金额：
$ 11.98万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

ESR study on Hydrogen Passivation of Intrinsic Defects in P-type and Semi-insulating 4H-SiC

P型半绝缘4H-SiC本征缺陷氢钝化的ESR研究

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Murakami;S. Tanai;T. Okuda;J. Suda;T. Kimoto;and T. Umeda
通讯作者：
and T. Umeda

4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量

4H-SiC MOS界面氮化处理中氮掺杂的ESR定量

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
梅田享英;佐藤嘉洋;佐久間由貴;小杉亮治
通讯作者：
小杉亮治

水素リッチウェット再酸化によって作製された4H-SiC(000-1)面上MOSFET

富氢湿法再氧化制备4H-SiC(000-1)表面MOSFET

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
岡本光央;巻渕陽一;荒岡幹;宮里真樹;須ケ原紀之　;堤岳志;大西泰彦;木村浩;原田信介;福田憲司;大月章弘;奥村元
通讯作者：
奥村元

電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察

使用电流检测 ESR 观察 C 面 4H-SiC MOSFET 界面缺陷的氢脱附

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
荒井亮;梅田享英;佐藤嘉洋;岡本光央;原田信介;小杉亮治;奥村元;牧野高紘;大島武
通讯作者：
大島武

Improvement of channel mobility in 4H-SiC C-face MOSFETs by H2 rich wet re-oxidation

通过富 H2 湿法再氧化提高 4H-SiC C 面 MOSFET 的沟道迁移率

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
M. Okamoto;Y. Makibuchi;M. Araoka;M. Miyazato;N. Sugahara;T. Tsutsumi;Y. Ohnishi;H. Kimura;S. Harada;K. Fukuda;A. Ohtsuki;H. Okumura
通讯作者：
H. Okumura

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

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