Advanced research on semiconductor optical device materials by controlling phonon transport under non-thermal equilibrium state
非热平衡状态下控制声子输运的半导体光器件材料前沿研究
基本信息
- 批准号：25286048
- 负责人：
- 金额：$ 11.98万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of impurity on the exciton dynamics of GaN in non-thermal equilibrium state
杂质对非热平衡态GaN激子动力学的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Bei Ma;Kazuma Takeuchi;and Yoshihiro Ishitani
- 通讯作者：and Yoshihiro Ishitani
Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission from Molecular Beam Epitaxy‐Grown Er δ‐doped GaAs
低温生长和分布式布拉格反射器对分子束外延生长 Er δ 掺杂 GaAs 发射的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Takamiya;M. Suto;K. Iimura;S. Yagi;H. Yaguchi
- 通讯作者：H. Yaguchi
1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製
1 eV 波段 InGaAs:N δ 掺杂超晶格的制备
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：梅田 俊平;八木 修平;宮下 直也;岡田 至崇;矢口 裕之
- 通讯作者：矢口 裕之
GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算
GaN稳态激子能级跃迁过程的理论计算
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shizuo Fujita;Norihiro Suzuki;Kazuaki Akaiwa;and Kentaro Kaneko;M. Hiramoto;大木 健輔，野町健太郎， 馬ベイ，森田健， 石谷善博;野町健太郎，大木健輔， 馬ベイ，森田健，石谷善博
- 通讯作者：野町健太郎，大木健輔， 馬ベイ，森田健，石谷善博
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Ishitani Yoshihiro其他文献
Room-temperature spin?orbit magnetic fields in slightly misoriented (110) InGaAs/InAlAs multiple quantum wells
轻微取向错误的 (110) InGaAs/InAlAs 多量子阱中的室温自旋轨道磁场
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10.1063/5.0055876 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：
Nakanishi Koichi;Arikawa Ayuki;Saito Yasuhito;Iizasa Daisuke;Iba Satoshi;Ohno Yuzo;Yokota Nobuhide;Kohda Makoto;Ishitani Yoshihiro;Morita Ken - 通讯作者：
Morita Ken
Ishitani Yoshihiro的其他文献
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Development of basic science and technology for nitride semiconductor optical devices by controlling phonon functions
通过控制声子函数开发氮化物半导体光器件基础科学技术
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17H02772 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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16K17738 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
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金属配合物的光熔化和光结晶以实现光控分子积累
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22550049 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
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Preparation and photovoltaic application of oxide thin films withlow defect concentration by aqueous electrochemical process
水相电化学法制备低缺陷浓度氧化物薄膜及其光伏应用
- 批准号：
22550164 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 11.98万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)