Development of basic science and technology for nitride semiconductor optical devices by controlling phonon functions

通过控制声子函数开发氮化物半导体光器件基础科学技术

基本信息

  • 批准号：
    17H02772
  • 负责人：
    Ishitani Yoshihiro
  • 金额：
    $ 11.48万
  • 依托单位：
    Chiba University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2019.01.011
  • 发表时间：
    2019-03
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    K. Uesugi;Y. Hayashi;K. Shojiki;S. Xiao;K. Nagamatsu;H. Yoshida;H. Miyake
  • 通讯作者：
    K. Uesugi;Y. Hayashi;K. Shojiki;S. Xiao;K. Nagamatsu;H. Yoshida;H. Miyake
フォノンプロセスを考慮した励起子ダイナミクス解析（PXRモデル）
考虑声子过程的激子动力学分析（PXR模型）
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    石谷 善博;大木 健輔;野町 健太郎;馬 ベイ;森田 健
  • 通讯作者：
    森田 健
Plasma activated bonding of 2-inch sputtered AlN wafers
2 英寸溅射 AlN 晶圆的等离子体激活键合
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Hayashi;H. Miyake
  • 通讯作者：
    H. Miyake
Fabrication of High-quality AlN Template by High Temperature Annealing
高温退火制备高质量AlN模板
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Nakajima;R. Taguchi;Y. Kuzuya;A. Yabuuchi and A. Kinomura;H. Miyake
  • 通讯作者：
    H. Miyake
Analysis of highly Si-doped GaN using various lattice vibration modes observed by infrared and Raman spectroscopy
使用红外和拉曼光谱观察到的各种晶格振动模式分析高硅掺杂 GaN
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Bei Ma;Ming Chuan Tang;Ken Morita;Yoshihiro Ishitani;Kohei Ueno;Atsushi Kobayashi;Hiroshi Fujioka
  • 通讯作者：
    Hiroshi Fujioka
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Ishitani Yoshihiro其他文献

Room-temperature spin?orbit magnetic fields in slightly misoriented (110) InGaAs/InAlAs multiple quantum wells
轻微取向错误的 (110) InGaAs/InAlAs 多量子阱中的室温自旋轨道磁场
  • DOI：
    10.1063/5.0055876
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Nakanishi Koichi;Arikawa Ayuki;Saito Yasuhito;Iizasa Daisuke;Iba Satoshi;Ohno Yuzo;Yokota Nobuhide;Kohda Makoto;Ishitani Yoshihiro;Morita Ken
  • 通讯作者：
    Morita Ken

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Advanced research on semiconductor optical device materials by controlling phonon transport under non-thermal equilibrium state
非热平衡状态下控制声子输运的半导体光器件材料前沿研究
  • 批准号：
    25286048
  • 财政年份：
    2013
  • 资助金额：
    $ 11.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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