Fabrication of ferroelectric tunnelling junction memory using ferroelectric polymer ultrathin film
利用铁电聚合物超薄膜制作铁电隧道结存储器
基本信息
- 批准号：25790053
- 负责人：
- 金额：$ 2.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Polarization induced resistance switching effect in ferroelectric vinylidenefluoride/trifluoroethylene copolymer ultrathin films
铁电偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物超薄膜中的极化诱导电阻切换效应
- DOI：10.1063/1.4900490
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Usui; T. Nakajima; Y. Hashizume;S. Okamura
- 通讯作者：S. Okamura
アモルファス合金電極上に形成されたVDF/TrFE共重合体極薄膜の強誘電性
非晶合金电极上超薄VDF/TrFE共聚物薄膜的铁电性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中嶋宇史;阿部克博;山浦真一;岡村総一郎
- 通讯作者：岡村総一郎
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