Field effect control of electronic phase of strongly correlated electron oxide by using solid gate insulator

固体栅绝缘体强相关电子氧化物电子相的场效应控制

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Electric-field control of metal-insulator transition in (Nd,Sm)NiO3 films using high-k gate dielectrics
使用高 k 栅极电介质对 (Nd,Sm)NiO3 薄膜中金属-绝缘体转变的电场控制
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shutaro Asanuma; Hisashi Shima; Hiroyuki Yamada; Isao Inoue; Hiroshi Akoh; Hiroyuki Akinaga; Akihito Sawa
  • 通讯作者：
    Akihito Sawa
Impact of inserted Ta ultrathin layer and postdeposition annealing on the forming voltage of Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si resistive switching devices
插入Ta超薄层和沉积后退火对Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si阻变器件化成电压的影响
  • DOI：
    10.7567/jjap.54.04dd10
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Shutaro Asanuma; Hisashi Shima; Masashi Yamazaki; Kazumi Hayama; Nobuhiro Hata;Hiroyuki Akinaga
  • 通讯作者：
    Hiroyuki Akinaga
The impact of inserted Ta ultra-thin layer on the resistive switching voltage in Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si devices
插入Ta超薄层对Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si器件阻变电压的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Asanuma; H. Shima; M. Yamazaki; K. Hayama; N. Hata; H. Akinaga
  • 通讯作者：
    H. Akinaga
The implementability of Mott transistor and its current status
Mott晶体管的可实现性及其现状
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Asanuma; H. Akinaga
  • 通讯作者：
    H. Akinaga
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Minohara Makoto;Asanuma Shutaro;Asai Hidehiro;Dobashi Yuka;Samizo Akane;Tezuka Yasuhisa;Ozawa Kenichi;Mase Kazuhiko;Hase Izumi;Kikuchi Naoto;Aiura Yoshihiro
  • 通讯作者：
    Aiura Yoshihiro
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    Toriumi Akira

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