Laser Transmission Bonding of Silicon to Silicon on Wafer-Level and Chip-to-Wafer-Level (T02)

晶圆级和芯片到晶圆级硅到硅的激光传输键合 (T02)

• 批准号: 87979454
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Lasertechnik (LLT)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Collaborative Research Centres (Transfer Project)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/87979454?language=en
• 关键词: Laser; Transmission; Bonding; Silicon; Wafer

Ziel des Teilprojektes ist die Übertragung der Grundlagenforschungsergebnisse zum Bonden von Silizium und Silizium unter Einsatz von absorbierenden Zwischenschichten auf industrielle Anwendungen mit der Optimierung des Bondens für komplexe Strukturen und die Integration des Prozesses sowie der dafür nötigen Komponenten in eine Bondstation. Mit dieser Bondstation, basierend auf einem Präzisions-Bond-Aligner sollen die Prozesse Pre-bonden, Linien- und Flächenbonden, sowie Post-Bonden zur Reparatur fehlerhafter Bondstellen zur Erhöhung der Ausbeute und zur örtlichen Steigerung der Bondfestigkeit ausgeführt werden können. Weiterhin soll mit diesem Verfahren und der geplanten Maschinentechnik das Bonden von einzelnen Chips auf Wafer (Chip-to-Wafer Bonden) möglich werden.

技术项目是硅结合和吸收技术中的硅结合的高级技术，是工业解决方案中复杂结构结合优化和工艺集成的关键技术请注意 eine Bondstation 中的组件。 Chips auf Wafer（芯片到晶圆键合）möglich werden。