Fabrication of non-polar GaN and nitride semiconductor crystals using newly developed control technique of crystal planes

利用新开发的晶面控制技术制造非极性GaN和氮化物半导体晶体

• 批准号: 25390064
• 负责人: MURAKAMI HISASHI
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25390064/
• 关键词: 窒化物半導体; 選択成長; 半極性; 基板加工; 異方性エッチング; 砒化ガリウム

项目成果

Growth of Thick InGaN and GaN by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy with high rate

三卤化物气相外延高速率生长厚InGaN和GaN

• 发表时间: 2015
• 作者: Hisashi Murakami; Takahide Hirasaki; Quang Tu Thieu; Rie Togashi; Yoshinao Kumagai; Akinori Koukitu
• 通讯作者: Akinori Koukitu

トリハライド気相成長法を用いたInGaN成長におけるNH3供給分圧の影響

NH3 供应分压对三卤化物气相外延 InGaN 生长的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: 平崎貴英;長谷川智康;目黒美佐稀;村上尚;熊谷義直;Bo Monemar;纐纈明伯
• 通讯作者: 纐纈明伯

High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE

HVPE 用于 UVC LED 应用的高纯度和高透明度 AlN 块状晶体生长

• 发表时间: 2015
• 作者: Yoshinao Kumagai; Toru Nagashima; Toru Kinoshita; Rie Togashi; Reo Yamamoto; Baxter Moody; Hisashi Murakami; Ramon Collazo; Akinori Koukitu;Zlatko Sitar
• 通讯作者: Zlatko Sitar

窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への前駆体二段階生成HVPE法による高速InN成長

采用两步前驱体 HVPE 方法在氮化钇稳定氧化锆 (111) 衬底上高速生长 InN

• 发表时间: 2014
• 作者: 小島千恵;富樫理恵;村上尚;熊谷義直;纐纈明伯
• 通讯作者: 纐纈明伯

Selective growth of InN on patterned GaAs(110) substrate by MOVPE

MOVPE 在图案化 GaAs(110) 衬底上选择性生长 InN

• 发表时间: 2014
• 作者: Hisashi Murakami; Yusuke Kitai; Thieu Quan Tu; Yoshinao Kumagai;Akinori Koukitu
• 通讯作者: Akinori Koukitu