A new opwerating mode of SiC-buried gate static induction transistor with untra-low on-resistance
超低导通电阻SiC埋栅静电感应晶体管的新工作模式
基本信息
- 批准号：24560327
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
3.3 kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) With Ultra Low Specific On-Resistance
具有超低比导通电阻的 3.3 kV SiC 埋栅静态感应晶体管 (SiC-BGSIT)
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yasunori TANAKA ; Akio TAKATSUKA; Koji YANO; Norio MATSUMOTO; Tsutomu YATSUO
- 通讯作者：Tsutomu YATSUO
ゲートオーバードライブによるノーマリーオフSiC埋め込みゲートSITのスイッチング特性改善
通过栅极过驱动改善常断 SiC 嵌入式栅极 SIT 的开关特性
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中嶋 竜基;矢野 浩司;田中 保宣;八尾 勉;高塚 章夫
- 通讯作者：高塚 章夫
3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計
3kV常断型SiC-BGSIT的设计
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：飯塚大臣;田中保宣;八尾勉;高塚章夫;山本真幸;矢野浩司
- 通讯作者：矢野浩司
SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性
SiC埋栅型SIT导通电阻的温度特性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：望月雄貴;田中保宣;八尾勉;高塚章夫;山本真幸;矢野浩司
- 通讯作者：矢野浩司
3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)
3 kV 常断 4H-SiC 埋栅静电感应晶体管 (SiC-BGSIT)
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Takatsuka;Y.Tanaka;K.Yano;N.Matsumoto;T.Yatsuo;K.Arai
- 通讯作者：K.Arai
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YANO Koji其他文献
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$ 3.49万 - 项目类别：
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