Correlation Strength Crossover of Auger Recombination Process
俄歇复合过程的相关强度交叉
基本信息
- 批准号：23540367
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011 至 2013
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We theoretically investigate the dynamics of photoexcited states in one-dimensional Mott insulators. We adopt the Pariser-Parr-Pople model, and numerically calculate the time development of the nonequilibrium state excited by a light pulse. We investigate the dependence of the dynamics on the Coulomb correlation strength. In the strong correlation region, the Auger recombination where two bound holon-doublon pairs decay into one unbound holon-doublon pair, dominates the decay dynamics. From the strong correlation region to the intermediate correlation region, the Auger recombination process is always dominant, but the charge carries involved in the process cannot be described by a holon and a doublon in the intermediate correlation region. In the crossover region between these two regions, the decay time constant and the Auger coefficient are strongly enhanced, and the decay time constant is consistent with the experimentally obtained value in one-dimensional Mott insulators.
我们从理论上研究了一维莫特绝缘体中光激发态的动力学。我们采用Pariser-Parr-Pople模型，数值计算了光脉冲激发的非平衡态的时间发展。我们研究了动力学对库仑相关强度的依赖性。在强相关区域中，俄歇重组（两个束缚的完整双布朗对衰变为一对未结合的完整双布朗对）主导了衰变动力学。从强相关区到中相关区，俄歇复合过程始终占主导地位，但该过程中涉及的电荷载流子在中相关区无法用完整子和双子来描述。在这两个区域之间的交叉区域中，衰减时间常数和俄歇系数强烈增强，并且衰减时间常数与一维莫特绝缘体中实验获得的值一致。
项目成果
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专利数量（0）
Auger Recombination of Photogenerated Charges in One-Dimensional Mott Insulators
一维莫特绝缘体中光生电荷的俄歇复合
- DOI：10.1143/jpsj.80.084721
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：M. SEGAWA; A. TAKAHASHI; H. GOMI;M. AIHARA
- 通讯作者：M. AIHARA
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