Pulse power supply using avalanche semiconductor
使用雪崩半导体的脉冲电源
基本信息
- 批准号:21K12527
- 负责人:
- 金额:$ 2.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Avalanche半導体(Avalanche mode thyristor:AMTと略す)を使った高電圧大電流パルス源の開発のために、本年度は試験回路を試作しほぼ予定の特性を得た。 具体的にはAMT11段、20kV印加時12.5Ω負荷に対してパルス幅500ns, 5kV, 0.4kAのパルス出力を得た。今後、AMTの段数を増やし、1.2kA以上のパルス出力を目指す。また、加速器のパルス電源として使用する場合パルス電圧を可変にする必要があるが、AMTの基本回路では印加電圧を設計値近辺で使用しなければならない。印加電圧の使用範囲を広げる回路を開発し、これを特許出願の準備を進めている。また、学会に発表する予定である。
为了使用雪崩半导体(缩写为雪崩模式晶闸管:AMT)开发高电压,高电流源,我们今年已经生产了一个测试电路,以获得最计划的特征。具体而言,当将11个AMT阶段应用于12.5Ω负载时,当应用20kV时,获得了500NS,5KV和0.4KA的脉冲输出。将来,我们将增加AMT阶段的数量,并旨在输出1.2KA或更多的脉冲。此外,当用作加速器的脉冲电源时,脉冲电压必须是可变的,但是必须在AMT的基本电路中使用施加的电压。我们已经开发了一个扩展应用电压范围的电路,并准备为该电路提交专利申请。它也将在会议上介绍。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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