Effect of Surface Potential on Piezoresistivity for Semi-conductive Nanowires

表面电位对半导体纳米线压阻率的影响

基本信息

  • 批准号:
    18H01335
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.32万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Anomalous Piezoresistive Changes of Core-Shell Structured SIC Nanowires
ウィーン工科大学(オーストリア)
维也纳科技大学(奥地利)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
コアシェルSiC ナノワイヤの電気伝導性に及ぼすシェル表面電位の影響
壳表面电位对核壳SiC纳米线电导率的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akio Uesugi;Shinya Nakata;Kodai Inoyama;Koji Sugano;and Yoshitada Isono;Yoshitada Isono;井ノ山 滉大,仲田 進哉,上杉 晃生,菅野 公二,磯野 吉正
  • 通讯作者:
    井ノ山 滉大,仲田 進哉,上杉 晃生,菅野 公二,磯野 吉正
MEMS-based strain engineering for epitaxial grown semiconductive nanowires
基于 MEMS 的外延生长半导体纳米线应变工程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akio Uesugi;Shinya Nakata;Kodai Inoyama;Koji Sugano;and Yoshitada Isono;Yoshitada Isono
  • 通讯作者:
    Yoshitada Isono
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用于机械和压阻表征的核壳碳化硅纳米线的应变工程
  • DOI:
    10.1088/1361-6528/ab0d5d
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.5
  • 作者:
    Shinya Nakata;Akio Uesugi ;Koji Sugano;Francesca Rossi;Giancarlo Salviati;Alois Lugstein and Yoshitada Isono
  • 通讯作者:
    Alois Lugstein and Yoshitada Isono
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  • 通讯作者:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Isono Yoshitada

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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 资助金额:
    $ 11.32万
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