Design of soluble semiconductors and study on their device functionality

可溶半导体的设计及其器件功能研究

• 批准号: 22350055
• 负责人: INABE Tamotsu
• 金额: $ 11.48万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22350055/
• 关键词: 可溶性半導体; ドーピング; ヨウ化スズ; 有機無機複合ペロブスカイト; 半導体 素子; 半導体素子

Systematic investigation of the electronic structure, doping level, transport properties of the solution processable organic-inorganic hybrid perovskites was performed. Design of the novel doping method and device construction including organic semiconductors was also examined. As for the tin-iodide system, the origin of the high conductivity was clarified by this study. As for the organic semiconductors, novel concept of doping at the contact interface was proposed, and the electronic state at the interface was studied.

对可溶液加工的有机-无机杂化钙钛矿的电子结构、掺杂水平、输运性能进行了系统研究。还研究了包括有机半导体在内的新型掺杂方法和器件结构的设计。对于碘化锡体系，本研究阐明了高电导率的起源。对于有机半导体，提出了接触界面掺杂的新概念，并研究了界面的电子态。

项目成果

Carrier doping to the organic Mott insulator by conjugating with tetrathiafulvalene

通过与四硫富瓦烯共轭对有机莫特绝缘体进行载流子掺杂

• DOI: 10.1063/1.4750066
• 发表时间: 2012
• 作者: Y. Takahashi; Y. Nakagawa; K. Hayakawa; T.Inabe; T. Naito
• 通讯作者: T. Naito

有機・無機ハイブリッド半導体の物性とデバイス化

有机/无机杂化半导体的物理性质及器件开发

• 发表时间: 2013
• 作者: 長谷川裕之;大崎剛;工藤勇;ロレーナジーヤンカルロ;高橋幸裕;原田潤;稲辺保
• 通讯作者: 稲辺保

Sn-I系ペロブスカイト型化合物へのドーピングによる導電性制御の試み

尝试通过掺杂 Sn-I 钙钛矿化合物来控制电导率

• 发表时间: 2012
• 作者: 高橋由香利;長谷川裕之;高橋幸裕;稲辺保
• 通讯作者: 稲辺保

臭化スズ系有機・無機ハイブリッド半導体へのドーピング効果

溴化锡基有机/无机杂化半导体的掺杂效应

• 发表时间: 2012
• 作者: 長谷川裕之;大崎剛;工藤勇;高橋由香利;高橋幸裕;稲辺保
• 通讯作者: 稲辺保

ハロゲン化スズペロブスカイト化合物の電子物性

卤化锡钙钛矿化合物的电子特性

• 发表时间: 2012
• 作者: 長谷川裕之;大崎剛;工藤勇;ロレーナ ジーヤンカルロ;高橋幸裕;原田潤;稲辺保
• 通讯作者: 稲辺保