Departure from conductivity control with impurity doping in widegap semiconductors
宽禁带半导体中杂质掺杂偏离电导率控制
基本信息
- 批准号：23H05460
- 负责人：
- 金额：$ 131.46万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-12 至 2028-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
竹内 哲也其他文献
GaNナノワイヤを用いた高出力LED作製に向けた検討
利用 GaN 纳米线生产高功率 LED 的研究
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
軒村 恭平;栗崎 湧気;上山 智;竹内 哲也;岩谷 素顕;赤崎 勇 - 通讯作者：
赤崎 勇
アニール処理したスパッタ AlN膜上に形成したAlGaNの特性
退火溅射 AlN 薄膜上形成的 AlGaN 的特性
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
袴田 淳哉;川瀬 雄太;岩山 章;岩谷 素顕;上山 智;竹内 哲也;赤﨑 勇;三宅 秀人 - 通讯作者：
三宅 秀人
GaN系VCSELに向けた微小段差による横方向光閉じ込め・電流狭窄構造
使用微小步骤的 GaN 基 VCSEL 的横向光学限制和电流限制结构
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
田中 実乃里;飯田 涼介;小田 薫;稲垣 徹郎;柴田 夏奈;長澤 剛;竹内 哲也;上山 智;岩谷 素顕 - 通讯作者：
岩谷 素顕
高品質導電性AlInN/GaN DBR形成に向けた水素クリーニング
用于高质量导电 AlInN/GaN DBR 形成的氢气清洗
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
柴田 夏奈;稲垣 徹郎;長澤 剛;竹内 哲也;上山 智;岩谷 素顕 第69回応用物理学会春季学術講演会 - 通讯作者：
岩谷 素顕 第69回応用物理学会春季学術講演会
GaN系VCSELに向けた微小段差による横方向光閉じ込め・電流狭窄構造
使用微小步骤的 GaN 基 VCSEL 的横向光学限制和电流限制结构
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
田中 実乃里;飯田 涼介;小田 薫;稲垣 徹郎;柴田 夏奈;長澤 剛;竹内 哲也;上山 智;岩谷 素顕 - 通讯作者：
岩谷 素顕
竹内 哲也的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
超軟磁性センダストを用いた単結晶TMRセンサによる脳磁場検出
使用超软磁铁硅铝单晶 TMR 传感器进行脑磁场检测
- 批准号：
22KJ0169 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Analysis of the temperature dependence of the tunnel magnetoresitance based on the first-principles estimation of the interfacial s-d exchange interaction
基于界面s-d交换相互作用第一性原理估计的隧道磁阻温度依赖性分析
- 批准号：
23K03933 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
磁性ワイル半金属磁気トンネル接合
磁外尔半金属磁隧道结
- 批准号：
22K18961 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Challenge to realize ultra-instantaneous annealing process for stretchable spin devices
实现可拉伸自旋器件超瞬时退火工艺的挑战
- 批准号：
21K18827 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
チタン酸バリウム構造を含む新規積層結晶構造を用いた磁気トンネル接合材料の創成
使用含有钛酸钡结构的新型层状晶体结构创建磁性隧道结材料
- 批准号：
21K04862 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 131.46万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)