Three dimensional thermal interface modification and its application to a novel thermoelectric conversion system
三维热界面修饰及其在新型热电转换系统中的应用
基本信息
- 批准号:17H03399
- 负责人:
- 金额:$ 11.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Influence of solidification rate on pore formation in lotus silicon
凝固速率对莲花硅孔隙形成的影响
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yohei Hiyama;Yasutaka Hashimoto;Teruyuki Ikeda
- 通讯作者:Teruyuki Ikeda
一方向に伸びた孔をもつ多孔質シリコンの熱電特性
孔沿一个方向延伸的多孔硅的热电性能
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yohei Hiyama;Yasutaka Hashimoto;Teruyuki Ikeda;Teruyuki Ikeda;Teruyuki Ikeda;山崎拓矢,井手拓哉,池田輝之,中嶋英雄
- 通讯作者:山崎拓矢,井手拓哉,池田輝之,中嶋英雄
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Ikeda Teruyuki其他文献
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