Preparation of composite comprising single crystals from eutectic melt for SiC epitaxial substrates
用于 SiC 外延衬底的共晶熔体单晶复合材料的制备
基本信息
- 批准号：16K14089
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（15）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Highly (111)-oriented SiC Films on Glassy Carbon Prepared by Laser Chemical Vapor Deposition
- DOI：10.4191/kcers.2016.53.6.647
- 发表时间：2016-11
- 期刊：
- 影响因子：2.5
- 作者：Ying Li;H. Katsui;T. Goto
- 通讯作者：Ying Li;H. Katsui;T. Goto
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- 发表时间：
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19K12409 - 财政年份：2019
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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