Low-loss vertical-type diamond power MOSFET

低损耗立式钻石功率MOSFET

基本信息

批准号：
17H02786
负责人：
Tokuda Norio
金额：
$ 11.56万
依托单位：
Kanazawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H02786/
关键词：
表面・界面物性ダイヤモンド

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性

金刚石半导体的技术趋势和可能性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshida Ryo;Miyata Daisuke;Makino Toshiharu;Yamasaki Satoshi;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio;徳田規夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

Inversion channel MOSFET on lightly impurity doped n-type diamond

轻掺杂 n 型金刚石上的反型沟道 MOSFET

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Matsumoto;H. Kato;T. Makino;S. Ohmagari;M. Ogura;D. Takeuchi;T. Inokuma;S. Yamasaki and N. Tokuda
通讯作者：
S. Yamasaki and N. Tokuda

熱化学反応を用いた選択的かつ高速な結晶異方性ダイヤモンドエッチング

利用热化学反应进行选择性和快速晶体各向异性金刚石蚀刻

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
長井雅嗣，松本翼，猪熊孝夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

ダイヤモンドMOSFET における反転層確認とFET 動作実証

金刚石 MOSFET 中反型层的确认和 FET 操作的演示

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
松本翼;加藤宙光;牧野俊晴;小倉政彦;竹内大輔;猪熊孝夫;徳田規夫;山崎聡
通讯作者：
山崎聡

反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実証

反型层沟道金刚石MOSFET演示

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Matsumoto;U. Sakurai;T. Yamakawa;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;T. Inokuma;N. Tokuda;松本翼，加藤宙光，小山和博，牧野俊晴，小倉政彦，竹内大輔，猪熊孝夫，山崎聡，徳田規夫
通讯作者：
松本翼，加藤宙光，小山和博，牧野俊晴，小倉政彦，竹内大輔，猪熊孝夫，山崎聡，徳田規夫

DOI：
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作者：
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Tokuda Norio其他文献

Temperature sensing with RF-dressed states of nitrogen-vacancy centers in diamond

利用金刚石中氮空位中心的射频修饰状态进行温度传感

DOI：
10.1063/5.0129706
发表时间：
2023
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Tabuchi Hibiki;Matsuzaki Yuichiro;Furuya Noboru;Nakano Yuta;Watanabe Hideyuki;Tokuda Norio;Mizuochi Norikazu;Ishi-Hayase Junko
通讯作者：
Ishi-Hayase Junko

教師あり非負値行列因子分解を用いたテキストデータ分析に関する一考察

基于监督非负矩阵分解的文本数据分析研究

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kawase Riku;Kawashima Hiroyuki;Kato Hiromitsu;Tokuda Norio;Yamasaki Satoshi;Ogura Masahiko;Makino Toshiharu;Mizuochi Norikazu;濱田聖，三川健太
通讯作者：
濱田聖，三川健太

High performance of diamond p[sup +]-i-n[sup +] junction diode fabricated using heavily doped p[sup +] and n[sup +] layers

使用重掺杂 p[sup ] 和 n[sup ] 层制造的高性能金刚石 p[sup ]-i-n[sup ] 结二极管

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Oyama;S. Ri;H. Kato;M. Ogura;T. Makino;Takeuchi Daisuke;Tokuda Norio;H. Okushi;S. Yamasaki
通讯作者：
S. Yamasaki

ダイヤモンドエレクトロニクスの将来像と結晶材料開発

金刚石电子和晶体材料发展的未来愿景

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshida Ryo;Miyata Daisuke;Makino Toshiharu;Yamasaki Satoshi;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio;徳田規夫;徳田規夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers with step-free surfaces in N doped diamond (1 1 1) by homoepitaxial lateral growth

通过同质外延横向生长在 N 掺杂金刚石 (1 1 1) 中选择性埋入无台阶表面的重 B 掺杂金刚石层

DOI：
10.1016/j.apsusc.2022.153340
发表时间：
2022
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
Kobayashi Kazuki;Zhang Xufang;Makino Toshiharu;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Tokuda Norio
通讯作者：
Tokuda Norio