Development of innovative synthesis process of ammonia using diamond

使用金刚石开发创新的氨合成工艺

基本信息

批准号：
17K18980
负责人：
Tokuda Norio
金额：
$ 4.16万
依托单位：
Kanazawa University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-06-30 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

100 kA/cm2 Schottky-pn diodes on freestanding diamond (100) substrate

独立式金刚石 (100) 基板上的 100 kA/cm2 肖特基 pn 二极管

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Matsumoto;R. Yoshida;T. Yamamoto;T. Teraji;O. Ariyada;H. Kato;S. Yamasaki;T. Inokuma;N. Tokuda
通讯作者：
N. Tokuda

ダイヤモンドエレクトロニクスの将来像と結晶材料開発

金刚石电子和晶体材料发展的未来愿景

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshida Ryo;Miyata Daisuke;Makino Toshiharu;Yamasaki Satoshi;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio;徳田規夫;徳田規夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

ダイヤモンドエレクトロニクスの基礎と技術動向

金刚石电子学的基础和技术趋势

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshida Ryo;Miyata Daisuke;Makino Toshiharu;Yamasaki Satoshi;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

ダイヤモンド半導体の技術動向と可能性

金刚石半导体的技术趋势和可能性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshida Ryo;Miyata Daisuke;Makino Toshiharu;Yamasaki Satoshi;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio;徳田規夫;徳田規夫
通讯作者：
徳田規夫

Homoepitaxial Diamond Growth by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

DOI：
10.1007/978-3-030-12469-4_1
发表时间：
2019
期刊：
Topics in Applied Physics
影响因子：
0
作者：
N. Tokuda
通讯作者：
N. Tokuda

DOI：
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作者：
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Tokuda Norio其他文献

Temperature sensing with RF-dressed states of nitrogen-vacancy centers in diamond

利用金刚石中氮空位中心的射频修饰状态进行温度传感

DOI：
10.1063/5.0129706
发表时间：
2023
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Tabuchi Hibiki;Matsuzaki Yuichiro;Furuya Noboru;Nakano Yuta;Watanabe Hideyuki;Tokuda Norio;Mizuochi Norikazu;Ishi-Hayase Junko
通讯作者：
Ishi-Hayase Junko

教師あり非負値行列因子分解を用いたテキストデータ分析に関する一考察

基于监督非负矩阵分解的文本数据分析研究

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kawase Riku;Kawashima Hiroyuki;Kato Hiromitsu;Tokuda Norio;Yamasaki Satoshi;Ogura Masahiko;Makino Toshiharu;Mizuochi Norikazu;濱田聖，三川健太
通讯作者：
濱田聖，三川健太

High performance of diamond p[sup +]-i-n[sup +] junction diode fabricated using heavily doped p[sup +] and n[sup +] layers

使用重掺杂 p[sup ] 和 n[sup ] 层制造的高性能金刚石 p[sup ]-i-n[sup ] 结二极管

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Oyama;S. Ri;H. Kato;M. Ogura;T. Makino;Takeuchi Daisuke;Tokuda Norio;H. Okushi;S. Yamasaki
通讯作者：
S. Yamasaki

Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers with step-free surfaces in N doped diamond (1 1 1) by homoepitaxial lateral growth

通过同质外延横向生长在 N 掺杂金刚石 (1 1 1) 中选择性埋入无台阶表面的重 B 掺杂金刚石层

DOI：
10.1016/j.apsusc.2022.153340
发表时间：
2022
期刊：
Applied Surface Science
影响因子：
6.7
作者：
Kobayashi Kazuki;Zhang Xufang;Makino Toshiharu;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Tokuda Norio
通讯作者：
Tokuda Norio

n-type diamond synthesized with tert-butylphosphine for long spin coherence times of perfectly aligned NV centers

用叔丁基膦合成的n型金刚石可实现完美对准的NV中心的长自旋相干时间

DOI：
10.1063/5.0101215
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Kawase Riku;Kawashima Hiroyuki;Kato Hiromitsu;Tokuda Norio;Yamasaki Satoshi;Ogura Masahiko;Makino Toshiharu;Mizuochi Norikazu
通讯作者：
Mizuochi Norikazu