Fabrication of quasi-free-standing epitaxial graphene to realize graphene-based devices

制造准自支撑外延石墨烯以实现基于石墨烯的器件

基本信息

  • 批准号：
    17K19065
  • 负责人：
    SUEMITSU Maki
  • 金额：
    $ 3.99万
  • 依托单位：
    Tohoku University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-06-30 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Simple formation of quasi-free-standing epitaxial graphene (QFSEG) using microwave annealing
使用微波退火简单形成准自支撑外延石墨烯（QFSEG）
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;Hirokazu Fukidome;Takashi Someya;Takushi Iimori;Fumio Komori;Iwao Matsuda;Maki Suemitsu
  • 通讯作者：
    Maki Suemitsu
Epitaxial graphene growth in Ar/H2 ambient
Ar/H2 环境下的外延石墨烯生长
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. S. Kim;H. Fukidome;and M. Suemitsu
  • 通讯作者：
    and M. Suemitsu
Formation of Quasi-Free-standing Epitaxial Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing
微波退火在 SiC(0001) 上形成准自支撑外延石墨烯
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;Hirokazu Fukidome;Maki Suemitsu
  • 通讯作者：
    Maki Suemitsu
Direct Formation of Solution-based Al2O3 on Epitaxial Graphene Surface for Sensor Applications
在外延石墨烯表面直接形成基于溶液的 Al2O3，用于传感器应用
  • DOI：
    10.18494/sam.2019.2317
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Sensors and Materials
  • 影响因子：
    1.2
  • 作者：
    K.S. Kim;H. Fukidome;and M. Suemitsu
  • 通讯作者：
    and M. Suemitsu
Gas-source MBE of cubic SiC on Si and formation of epitaxial graphene thereon
Si上立方SiC的气源MBE及其上外延石墨烯的形成
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;Hirokazu Fukidome;Takashi Someya;Takushi Iimori;Fumio Komori;Iwao Matsuda;Maki Suemitsu;Maki Suemitsu
  • 通讯作者：
    Maki Suemitsu
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