Development of high-speed nonvolatile memory using intersubband transitions in GaN-based resonant tunneling diodes

利用基于 GaN 的谐振隧道二极管的子带间跃迁开发高速非易失性存储器

基本信息

批准号：
17K06409
负责人：
NAGASE Masanori
金额：
$ 3万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

高効率コンピューティングに向けた高速不揮発メモリの開発

开发用于高效计算的高速非易失性存储器

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
通讯作者：
清水三聡

GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性の評価

使用 GaN/AlN 谐振隧道二极管评估非易失性存储器特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
通讯作者：
清水三聡

Growth and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes for High‐Performance Nonvolatile Memory

用于高性能非易失性存储器的 GaN/AlN 谐振隧道二极管的生长和表征

DOI：
10.1002/pssa.202000495
发表时间：
2020
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
0
作者：
Nagase Masanori;Takahashi Tokio;Shimizu Mitsuaki
通讯作者：
Shimizu Mitsuaki

GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの双安定性を用いた不揮発メモリの安定動作化

利用 GaN/AlN 谐振隧道二极管的双稳态实现非易失性存储器的稳定运行

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
通讯作者：
清水三聡

New nonvolatile memory using GaN-based resonant tunneling diodes

使用基于 GaN 的谐振隧道二极管的新型非易失性存储器

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
永瀬成範;高橋言緒;清水三聡;Nagase Masanori
通讯作者：
Nagase Masanori

DOI：
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$ 3万
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资助金额：
$ 3万
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批准号：
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财政年份：
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资助金额：
$ 3万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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