Creation of ultrawide-bandgap-semiconductor exciton-engineering using deep-ultraviolet time and spatially resolved spectroscopies under extreme environments

在极端环境下利用深紫外时间和空间分辨光谱创建超宽带隙半导体激子工程

基本信息

  • 批准号:
    19H02615
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(35)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Luminescence spectroscopies on 265-nm AlGaN DUV LEDs and AlN films grown on AlN substrates
265 nm AlGaN DUV LED 和 AlN 基板上生长的 AlN 薄膜的发光光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ryota Ishii;Mitsuru Funato;and Yoichi Kawakami
  • 通讯作者:
    and Yoichi Kawakami
青色・緑色発光InGaN量子井戸構造の高温環境下における顕微PLマッピング
高温环境下蓝/绿光发射InGaN量子阱结构的显微PL图
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石井良太;小山友二;船戸充;川上養一
  • 通讯作者:
    川上養一
エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価
使用电致发光/光致发光方法评估 AlN 衬底上的 265nm 波段 AlGaN LED
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. Ishii;M. Funato;and Y. Kawakami;高谷亮太,川又友喜,小山浩司,金 聖祐,嘉数 誠;石井良太・吉川 陽・永瀬和宏・船戸 充・川上養一
  • 通讯作者:
    石井良太・吉川 陽・永瀬和宏・船戸 充・川上養一
アニール処理スパッタAlN膜上AlGaN多重量子井戸構造の光学特性
退火溅射 AlN 薄膜上 AlGaN 多量子阱结构的光学特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    正直花奈子;石井良太;上杉謙次郎;船戸充;川上養一;三宅秀人
  • 通讯作者:
    三宅秀人
Impact of the positive electron-hole exchange interaction constant on the binding energy of neutral donor bound excitons in AlN
正电子空穴交换相互作用常数对 AlN 中中性供体结合激子结合能的影响
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac15ae
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    R. Ishii;A. Yoshikawa;H. Kobayashi;M. Funato;and Y. Kawakami
  • 通讯作者:
    and Y. Kawakami
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Effect of Covariate Omission in Randomised Controlled Trials: A Review and Simulation Study
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2
  • 作者:
    Ishii Ryota;Maruo Kazushi;Gosho Masahiko
  • 通讯作者:
    Gosho Masahiko
A note on the bias of standard errors when orthogonality of mean and variance parameters is not satisfied in the mixed model for repeated measures analysis
关于重复测量分析混合模型均值和方差参数不满足正交性时标准误偏差的说明
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2
  • 作者:
    Maruo Kazushi;Ishii Ryota;Yamaguchi Yusuke;Doi Masaaki;Gosho Masahiko
  • 通讯作者:
    Gosho Masahiko
Technical transmission of hunting tool manufacture: A case of sppear hunting among modern hunter-gatherers in southeast Cameroon
狩猎工具制造的技术传承:喀麦隆东南部现代狩猎采集者的矛狩猎案例
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hayashi Koji;Ishii Ryota;Nakamura Yuuki;Terashima Hideaki;Nishiaki Yoshihiro
  • 通讯作者:
    Nishiaki Yoshihiro
共役ポリマーの固相炭素化によるキラル炭素材料の創製
共轭聚合物固相碳化制备手性碳材料
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi;Jungsic Park;須田利美;Haruo Kubozono;松下哲士
  • 通讯作者:
    松下哲士
極低運動量移行領域での電子弾性散乱による陽子電荷半径精密決定
极低动量跃迁区电子弹性散射精确测定质子电荷半径
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi;Jungsic Park;須田利美
  • 通讯作者:
    須田利美

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  • 批准号:
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    $ 11.48万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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    $ 11.48万
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  • 资助金额:
    $ 11.48万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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开发在宽波长范围内具有可调发射特性的无重金属量子点发光二极管
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  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Synthesis of Heavy-Metal-Free Quantum Dots and Fabrication of Quantum Dots Light-Emitting Diodes
无重金属量子点的合成及量子点发光二极管的制造
  • 批准号:
    20J23803
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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了解用于有机半导体激光器应用的激光染料的分子设计
  • 批准号:
    20K21227
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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