Fabrication of UV detector using ZnO/Ga2O3 heterojunction

利用 ZnO/Ga2O3 异质结制作紫外探测器

基本信息

  • 批准号:
    17K05045
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
スパッタリング法を用いたn型Ga2O3の作製
溅射法制备n型Ga2O3
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    佐々木悠介;藤田実樹
  • 通讯作者:
    藤田実樹
Homemade計測器による新規電子デバイス材料の特性評価
使用自制仪器表征新型电子器件材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長谷川晴紀;佐藤茉海,三島康;八木麻実子;藤田実樹
  • 通讯作者:
    藤田実樹
スパッタリング法によるSi,Snを用いたGa2O3へのn型ドーピング
溅射法用 Si 和 Sn 对 Ga2O3 进行 N 型掺杂
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤田実樹 ; 井上 洋輔 ; 長澤 凜太郎 ; 構 祐美子 ; 牧本 俊樹
  • 通讯作者:
    牧本 俊樹
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    4.5
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    Kondo Hideki;Masejima Hidekazu;Maruyama Kazuyuki;Fujita Miki;Ohki Takehiro
  • 通讯作者:
    Ohki Takehiro

Fujita Miki的其他文献

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