Quantum-dot devices in silicon-based tunnel field-effect transistors

硅基隧道场效应晶体管中的量子点器件

基本信息

  • 批准号:
    16H03900
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Quantum dots and spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors
基于硅隧道场效应晶体管的量子点和自旋量子位
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Satoshi Moriyama;Takahiro Mori;Keiji Ohno
  • 通讯作者:
    Keiji Ohno
Quantum-dot Transport via Deep levels in Silicon Tunnel Field-effect Transistors (TFETs)
通过硅隧道场效应晶体管 (TFET) 中的深能级进行量子点传输
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Satoshi Moriyama;Takahiro Mori;Keiji Ohno
  • 通讯作者:
    Keiji Ohno
High-temperature operation of a silicon qubit
  • DOI:
    10.1038/s41598-018-36476-z
  • 发表时间:
    2019-01-24
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Ono, Keiji;Mori, Takahiro;Moriyama, Satoshi
  • 通讯作者:
    Moriyama, Satoshi
シリコントンネルトランジスタのスピン量子ビット応用
硅隧道晶体管的自旋量子位应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    森貴洋;森山悟士;松川貴;安田哲二;大野圭司
  • 通讯作者:
    大野圭司
Single-electron spin control in CMOS-compatible tunnel field-effect transistors (TFETs)
CMOS 兼容隧道场效应晶体管 (TFET) 中的单电子自旋控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Satoshi Moriyama;Takahiro Mori;Keiji Ono
  • 通讯作者:
    Keiji Ono
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  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    田邉孝純,藤井瞬,和田幸四郎,柿沼康弘
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  • 影响因子:
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    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Kato Kota;Takagi Tasuku;Tanabe Takasumi;Moriyama Satoshi;Morita Yoshifumi;Maki Hideyuki
  • 通讯作者:
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19世紀ヨーロッパにおける軍事医療ネットワークの形成と日本陸軍軍医部
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sasama Yosuke;Komatsu Katsuyoshi;Moriyama Satoshi;Imura Masataka;Sugiura Shiori;Terashima Taichi;Uji Shinya;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Uchihashi Takashi;Takahide Yamaguchi;加藤真生;加藤真生
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    加藤真生

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