Quantum-dot devices in silicon-based tunnel field-effect transistors
硅基隧道场效应晶体管中的量子点器件
基本信息
- 批准号:16H03900
- 负责人:
- 金额:$ 10.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Quantum dots and spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors
基于硅隧道场效应晶体管的量子点和自旋量子位
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Satoshi Moriyama;Takahiro Mori;Keiji Ohno
- 通讯作者:Keiji Ohno
Quantum-dot Transport via Deep levels in Silicon Tunnel Field-effect Transistors (TFETs)
通过硅隧道场效应晶体管 (TFET) 中的深能级进行量子点传输
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Satoshi Moriyama;Takahiro Mori;Keiji Ohno
- 通讯作者:Keiji Ohno
High-temperature operation of a silicon qubit
- DOI:10.1038/s41598-018-36476-z
- 发表时间:2019-01-24
- 期刊:
- 影响因子:4.6
- 作者:Ono, Keiji;Mori, Takahiro;Moriyama, Satoshi
- 通讯作者:Moriyama, Satoshi
Single-electron spin control in CMOS-compatible tunnel field-effect transistors (TFETs)
CMOS 兼容隧道场效应晶体管 (TFET) 中的单电子自旋控制
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Satoshi Moriyama;Takahiro Mori;Keiji Ono
- 通讯作者:Keiji Ono
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Moriyama Satoshi其他文献
Fabrication and characterization of quantum dot devices based on tetralayer graphene/hexagonal boron nitride heterostructures
基于四层石墨烯/六方氮化硼异质结构的量子点器件的制备与表征
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- 影响因子:0
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- 影响因子:4.6
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19世紀ヨーロッパにおける軍事医療ネットワークの形成と日本陸軍軍医部
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- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Sasama Yosuke;Komatsu Katsuyoshi;Moriyama Satoshi;Imura Masataka;Sugiura Shiori;Terashima Taichi;Uji Shinya;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Uchihashi Takashi;Takahide Yamaguchi;加藤真生;加藤真生 - 通讯作者:
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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单个相对论粒子装置中电子轨道和电磁波响应的观测
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$ 10.9万 - 项目类别:
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新型二维材料隧道晶体管等效模型的构建及性能预测
- 批准号:
22KJ2196 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
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- 资助金额:
$ 10.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 资助金额:
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