Thermoelectric conversion device and Seebeck coefficient control by 3-dimensional quantum nanodisk array

3维量子纳米盘阵列的热电转换器件及塞贝克系数控制

基本信息

批准号：
16H03898
负责人：
Samukawa Seiji
金额：
$ 10.57万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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专利数量（0）

Neutral Beam Technology for Future Nano-materials and Nano-devices

未来纳米材料和纳米器件的中性束技术

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yunong Wu;Kenji Kita;Kazuyuki Matsumoto;XIN KANG and Fuji Ren;Seiji Samukawa
通讯作者：
Seiji Samukawa

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低温原子层无缺陷蚀刻、改性和沉积工艺

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
山本伸也;高橋昌宏;山本恵則;山本正道;三井亜希子;今村博臣;柳田素子;阿部なつ江・岡崎啓史・片山郁夫・畠山航平・赤松祐哉・ICDPオマーン掘削研究パーティ;Seiji Samukawa
通讯作者：
Seiji Samukawa

THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME

热电转换材料及其制造方法

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

バイオテンプレート極限加工を用いたSiナノ構造熱電モジュールの作製と特性評価

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DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
菊池亜紀応;八尾章史;毛利勇;山本淳;小野崇人;寒川誠二
通讯作者：
寒川誠二

Atomic Layer Defect-free Etching and Deposition Processes for future sub-10-nm devices

适用于未来 10 纳米以下器件的原子层无缺陷蚀刻和沉积工艺

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
大谷嘉典;大野伸彦;山口宜秀;崔晶晶;馬場広子;Seiji Samukawa
通讯作者：
Seiji Samukawa

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期刊：
Results in Physics
影响因子：
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通讯作者：
Samukawa Seiji

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Ohori Daisuke;Chuang Min-Hui;Sato Asahi;Takeuchi Sou;Murata Masayuki;Yamamoto Atsushi;Lee Ming-Yi;Endo Kazuhiko;Li Yiming;Tarng Jenn-Hwan;Lee Yao-Jen;Samukawa Seiji
通讯作者：
Samukawa Seiji

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影响因子：
3.2
作者：
Harada Tomoki;Ohori Daisuke;Endo Kazuhiko;Samukawa Seiji;Ikari Tetsuo;Fukuyama Atsuhiko
通讯作者：
Fukuyama Atsuhiko

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DOI：
10.1021/acsaelm.9b00432
发表时间：
2019
期刊：
ACS Applied Electronic Materials
影响因子：
4.7
作者：
Higo Akio;Kiba Takayuki;Takayama Junichi;Lee C. Y.;Thomas Cedric;Ozaki Takuya;Sodabanlu Hassanet;Sugiyama Masakazu;Nakano Yoshiaki;Yamashita Ichiro;Murayama Akihiro;Samukawa Seiji
通讯作者：
Samukawa Seiji

Effects of nitrogen-dopant bonding states on liquid-flow-induced electricity generation of graphene: A comparative study

氮-掺杂剂键合状态对石墨烯液流诱导发电的影响：比较研究

DOI：
10.1016/j.rinp.2019.01.023
发表时间：
2019
期刊：
Results in Physics
影响因子：
5.3
作者：
Okada Takeru;Kalita Golap;Tanemura Masaki;Yamashita Ichiro;Ouchi Fumio S.;Meyyappan M.;Samukawa Seiji
通讯作者：
Samukawa Seiji