Fabrication of NeoSilicon quantum information processing devices based on position control of silicon nano-dots and nanowires
基于硅纳米点和纳米线位置控制的NeoSilicon量子信息处理器件的制备
基本信息
- 批准号：26249048
- 负责人：
- 金额：$ 26.79万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-06-27 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（57）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Back-action-induced excitation of electrons in a silicon quantum dot with a single-electron transistor charge sensor
- DOI：10.1063/1.4907894
- 发表时间：2015-02-02
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Horibe, Kosuke;Kodera, Tetsuo;Oda, Shunri
- 通讯作者：Oda, Shunri
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- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：前川 未知瑠;テノリオぺルル ハイメ;ヘルブスレブ エルンスト;山岡 裕;小寺 哲夫;小田 俊理
- 通讯作者：小田 俊理
Silicon quantum dots for future electronics and photonics
用于未来电子学和光子学的硅量子点
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Weike Feng;Jean-Michel Friedt;Grigory Cherniak;and Motoyuki Sato;Shunri Oda
- 通讯作者：Shunri Oda
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- 影响因子：1.5
- 作者：
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Kodera Tetsuo
ホール輸送によるp型量子ドットの作製と特性評価
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- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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Oda Shunri
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