Quantification of electrical properties of defects in semiconductor crystals from a luminescence image

从发光图像量化半导体晶体缺陷的电学特性

基本信息

批准号：
16H03856
负责人：
Kutsukake Kentaro
金额：
$ 10.73万
依托单位：
Institute of Physical and Chemical Research (2018)Nagoya University (2017)Tohoku University (2016)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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Solution Growth of SiC from the Crucible Bottom with Dipping under Unsaturation State of Carbon in Solvent

碳不饱和状态下溶剂浸渍坩埚底部固溶生长SiC

DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.51
发表时间：
2018
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
0
作者：
Taishi Toshinori;Takahashi Masaru;Tsuchimoto Naomichi;Suzuki Koki;Hyun Koang Yong
通讯作者：
Hyun Koang Yong

Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source

DOI：
10.1016/j.tsf.2017.06.055
发表时间：
2017-08-31
期刊：
THIN SOLID FILMS
影响因子：
2.1
作者：
Hara, Kosuke O.;Cham Thi Trinh;Usami, Noritaka
通讯作者：
Usami, Noritaka

溶質供給源の形状を変化させたCr単一溶媒でのSiC溶液成長

具有不同溶质源形状的 Cr 单一溶剂中 SiC 溶液的生长

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
鈴木皓己;太子敏則
通讯作者：
太子敏則

Formation of SnS/BaSi2 Heterojunction by Sequential Thermal Evaporation toward Solar Cell Applications

通过顺序热蒸发形成 SnS/BaSi2 异质结，用于太阳能电池应用

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hara;K. O.;Arimoto;K.;Yamanaka;J.;and Nakagawa;K.
通讯作者：
K.

Adaptive mapping for quick material evaluation

用于快速材料评估的自适应映射

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kentaro Kutsukake;Ryota Kikuchi;Koji Shimoyama;Kenichi Inoue
通讯作者：
Kenichi Inoue

DOI：
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作者：
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Kutsukake Kentaro其他文献

Improvement of annealing procedure to suppress defect generation during impurity gettering in multicrystalline silicon for solar cells

改进退火工艺以抑制太阳能电池用多晶硅吸杂过程中缺陷的产生

DOI：
10.1109/pvsc.2014.6925569
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC)
影响因子：
0
作者：
I. Takahashi;Supawan Joonwichien;Kutsukake Kentaro;S. Matsushima;I. Yonenaga;N. Usami
通讯作者：
N. Usami

Augment Human Capabilities with User Interfaces

通过用户界面增强人类能力

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Osada Keiichi;Kutsukake Kentaro;Yamamoto Jun;Yamashita Shigeo;Kodera Takashi;Nagai Yuta;Horikawa Tomoyuki;Matsui Kota;Takeuchi Ichiro;Ujihara Toru;謝浩然
通讯作者：
謝浩然

Geometrical design of a crystal growth system guided by a machine learning algorithm

由机器学习算法指导的晶体生长系统的几何设计

DOI：
10.1039/d1ce00106j
发表时间：
2021
期刊：
CrystEngComm
影响因子：
3.1
作者：
Yu Wancheng;Zhu Can;Tsunooka Yosuke;Huang Wei;Dang Yifan;Kutsukake Kentaro;Harada Shunta;Tagawa Miho;Ujihara Toru
通讯作者：
Ujihara Toru

Dependence of substrate work function on the energy-level alignment at organic?organic heterojunction interface

基底功函数对有机异质结界面能级排列的依赖性

DOI：
10.7567/1347-4065/aaffbf
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Foggiatto Alexandre L.;Suga Hiroki;Takeichi Yasuo;Ono Kanta;Takahashi Yoshio;Kutsukake Kentaro;Ueba Takahiro;Kera Satoshi;Sakurai Takeaki
通讯作者：
Sakurai Takeaki

鉄鋼材料のライフサイクル価値を考慮した LCA 手法の開発

考虑钢材生命周期价值的LCA方法开发

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Foggiatto Alexandre L.;Takeichi Yasuo;Ono Kanta;Suga Hiroki;Takahashi Yoshio;Fusella Michael A.;Dull Jordan T.;Rand Barry P.;Kutsukake Kentaro;Sakurai Takeaki;醍醐市朗
通讯作者：
醍醐市朗