Development of an intense terahertz pulse source using high-quality InAs thin films

使用高质量 InAs 薄膜开发强太赫兹脉冲源

基本信息

  • 批准号:
    16K06326
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Enhanced Terahertz Radiation from GaSb/InAs Heterostructures
GaSb/InAs 异质结构增强太赫兹辐射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Sasa;M. Tatsumi;Y. Kinoshita;M. Koyama;T. Maemoto;I. Kawayama;and M. Tonouchi
  • 通讯作者:
    and M. Tonouchi
Study for Enhancement of Terahertz Radiation Using GaSb/InAs Heterostructures
GaSb/InAs异质结构增强太赫兹辐射的研究
  • DOI:
    10.1088/1742-6596/906/1/012015
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Sasa;Y. Kinoshita;M. Tatsumi;M. Koyama;T. Maemoto;S. Hamauchi;I. Kawayama;and M. Tonouchi
  • 通讯作者:
    and M. Tonouchi
GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ波の放射強度増強の検討
GaSb/InAs异质结增强太赫兹波辐射强度的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shota Nishimura,Takuya Kawamoto,Hideaki Mizuno;Masaki Moriyama;Masatoshi Kotera;木下耀平,巽 雅史,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,濱内 翔太,川山 巌,斗内政吉
  • 通讯作者:
    木下耀平,巽 雅史,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,濱内 翔太,川山 巌,斗内政吉
GaSb/InAsヘテロ接合を用いたテラヘルツ波の放射強度増強の検討 II
GaSb/InAs异质结增强太赫兹波辐射强度的研究II
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shota Nishimura;Takuya Kawamoto;Masatoshi Kotera;藤原壮大,金子豊和,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦;Ryuichi Katayama and Satoshi Sugiura;大浦 紀頼,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦;巽 雅史,木下耀平,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,寳田智哉,川山 巌,斗内政吉
  • 通讯作者:
    巽 雅史,木下耀平,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦,寳田智哉,川山 巌,斗内政吉
Non-destructive carrier concentration determination in InAs thin films for THz radiation generating devices using fast differential reflectance spectroscopy
  • DOI:
    10.1007/s11082-016-0653-4
  • 发表时间:
    2016-07
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3
  • 作者:
    M. Kozub;M. Motyka;M. Dyksik;G. Sȩk;J. Misiewicz;K. Nishisaka;T. Maemoto;S. Sasa
  • 通讯作者:
    M. Kozub;M. Motyka;M. Dyksik;G. Sȩk;J. Misiewicz;K. Nishisaka;T. Maemoto;S. Sasa
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Sasa Shigehiko其他文献

Disorder and Weak Localization near Charge Neutral Point in Ti-cleaned Single-Layer Graphene
钛清洗单层石墨烯中电荷中性点附近的无序和弱局域化
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    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fujimoto Akira;Perini Christopher J.;Terasawa Daiju;Fukuda Akira;Harada Yoshiyuki;Sasa Shigehiko;Yano Mitsuaki;Vogel Eric M.
  • 通讯作者:
    Vogel Eric M.
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sasa Shigehiko;Koike Kazuto;Maemoto Toshihiko;Yano Mitsuaki;Inoue Masataka
  • 通讯作者:
    Inoue Masataka
ハーモニーサーチを用いたモザイク状構造 NRD デバイ スの最適設計
利用和声搜索优化镶嵌结构 NRD 器件设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Oura Kazuyori;Wada Hideo;Koyama Masatoshi;Maemoto Toshihiko;Sasa Shigehiko;山岸 昂平,井口 亜希人,辻 寧英,柏 達也
  • 通讯作者:
    山岸 昂平,井口 亜希人,辻 寧英,柏 達也
サブ波長グレーティングNRDガイドの設計と回路素子への応用に関する研究
亚波长光栅NRD波导设计及其在电路元件中的应用研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Oura Kazuyori;Wada Hideo;Koyama Masatoshi;Maemoto Toshihiko;Sasa Shigehiko;風間 啓佑,井口 亜希人,辻 寧英
  • 通讯作者:
    風間 啓佑,井口 亜希人,辻 寧英

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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 通讯作者:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    18560016
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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半导体材料细胞毒性的磁力测量评估
  • 批准号:
    08457118
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

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