Development of an intense terahertz pulse source using semiconductor heterostructures

利用半导体异质结构开发强太赫兹脉冲源

基本信息

  • 批准号：
    19K04540
  • 负责人：
    Sasa Shigehiko
  • 金额：
    $ 2.25万
  • 依托单位：
    Osaka Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Terahertz Radiation Characteristics of GaSb/InAs Heterostructures
GaSb/InAs异质结构的太赫兹辐射特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Sasa;R. Ohashi;D. Shimada;M. Koyama;T. Maemoto;I. Kawayama;and M. Tonouchi
  • 通讯作者：
    and M. Tonouchi
Impact of optical absorption for THz radiation in GaSb/InAs heterostructures
GaSb/InAs 异质结构中光吸收对太赫兹辐射的影响
  • DOI：
    10.1109/irmmw-thz46771.2020.9371009
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    IEEE Xplore
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    祐川　真紀帆;杉野　雄亮;谷辺　徹;小澤　満津雄;R. Ohashi; D. Shimada; M. Koyama; T. Maemoto; S. Sasa; F. Murakami; H. Murakami; M. Tonouchi
  • 通讯作者：
    R. Ohashi; D. Shimada; M. Koyama; T. Maemoto; S. Sasa; F. Murakami; H. Murakami; M. Tonouchi
InGaSb/InAs ヘテロ接合を用いた高強度テラヘ ルツ放射素子の研究（ II）
InGaSb/InAs异质结高强度太赫兹辐射器件研究（二）
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    高木 善之;長谷川 尊之;小山 政俊;前元 利彦;佐々 誠彦
  • 通讯作者：
    佐々 誠彦
Nonuniform Carrier Heating Induced Nonlinear Electron Transport Properties in Asymmetrically Necked InAs Mesa Structures
不对称颈缩 InAs 台面结构中的非均匀载流子加热引起的非线性电子传输特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ryota Ohashi;Daichi Shimada;Masatoshi Koyama;Toshihiko Maemoto;and Shigehiko Sasa
  • 通讯作者：
    and Shigehiko Sasa
Development of terahertz optical sources for an excitation wavelength of 1.56 μm
开发激发波长1.56μm的太赫兹光源
  • DOI：
    10.1109/irmmw-thz46771.2020.9370373
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    IEEE Xplore
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    祐川　真紀帆;杉野　雄亮;谷辺　徹;小澤　満津雄;R. Ohashi; D. Shimada; M. Koyama; T. Maemoto; S. Sasa; F. Murakami; H. Murakami; M. Tonouchi;Daichi Shimada; Ryota Ohashi; Masatoshi Koyama; Toshihiko Maemoto; Shigehiko Sasa; Kosuke Okada; Hironaru Murakami; Masayoshi Tonouchi
  • 通讯作者：
    Daichi Shimada; Ryota Ohashi; Masatoshi Koyama; Toshihiko Maemoto; Shigehiko Sasa; Kosuke Okada; Hironaru Murakami; Masayoshi Tonouchi
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Sasa Shigehiko其他文献

Disorder and Weak Localization near Charge Neutral Point in Ti-cleaned Single-Layer Graphene
钛清洗单层石墨烯中电荷中性点附近的无序和弱局域化
  • DOI：
    10.1002/pssb.201800541
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    physica status solidi (b)
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Fujimoto Akira;Perini Christopher J.;Terasawa Daiju;Fukuda Akira;Harada Yoshiyuki;Sasa Shigehiko;Yano Mitsuaki;Vogel Eric M.
  • 通讯作者：
    Vogel Eric M.
Development of high-performance ZnO-based FETs -- Device applications and microwave performance
高性能ZnO基FET的开发——器件应用和微波性能
  • DOI：
  • 发表时间：
    2010
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sasa Shigehiko;Koike Kazuto;Maemoto Toshihiko;Yano Mitsuaki;Inoue Masataka
  • 通讯作者：
    Inoue Masataka
ハーモニーサーチを用いたモザイク状構造 NRD デバイ スの最適設計
利用和声搜索优化镶嵌结构 NRD 器件设计
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Oura Kazuyori;Wada Hideo;Koyama Masatoshi;Maemoto Toshihiko;Sasa Shigehiko;山岸 昂平，井口 亜希人，辻 寧英，柏 達也
  • 通讯作者：
    山岸 昂平，井口 亜希人，辻 寧英，柏 達也
サブ波長グレーティングNRDガイドの設計と回路素子への応用に関する研究
亚波长光栅NRD波导设计及其在电路元件中的应用研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Oura Kazuyori;Wada Hideo;Koyama Masatoshi;Maemoto Toshihiko;Sasa Shigehiko;風間 啓佑，井口 亜希人，辻 寧英
  • 通讯作者：
    風間 啓佑，井口 亜希人，辻 寧英

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Development of an intense terahertz pulse source using high-quality InAs thin films
使用高质量 InAs 薄膜开发强太赫兹脉冲源
  • 批准号：
    16K06326
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 2.25万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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作者：{{ showInfoDetail.author }}

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