Study on n type doping of gallium oxide wide bandgap semiconductors

氧化镓宽带隙半导体n型掺杂研究

• 批准号: 16K06268
• 负责人: GUO QIXIN
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Saga University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06268/
• 关键词: 化合物半導体; 電気特性; ワイドギャップ; 電子・電気材料

项目成果

佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

佐贺大学同步加速器光应用研究中心

1.Characteristics of gallium oxide films grown by oxygen plasma assisted pulsed laser deposition

1.氧等离子体辅助脉冲激光沉积生长氧化镓薄膜的特性

• 发表时间: 2017
• 作者: C. Hu;K. Saito;T. Tanaka;and Q. Guo
• 通讯作者: and Q. Guo

Toward controlling the carrier density of Si doped Ga2O3 films by pulsed laser deposition

• DOI: 10.1063/1.4962463
• 发表时间: 2016-09-05
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Zhang, Fabi;Arita, Makoto;Guo, Qixin
• 通讯作者: Guo, Qixin

2.Characteristics of gallium oxide based wide bandgap semiconductors

2.氧化镓基宽带隙半导体的特性

• 发表时间: 2017
• 作者: Fabi Zhang ;Makoto Arita ;Xu Wang ;Zhengwei Chen ;Katsuhiko Saito ;Tooru Tanaka ;Mitsuhiro Nishio ;Teruaki Motooka ;Qixin Guo*;Qixin GUO;Qixin GUO;Qixin GUO;Qixin GUO
• 通讯作者: Qixin GUO

Characteristics of gallium oxide based semiconductors

氧化镓基半导体的特性

• 发表时间: 2018
• 作者: Fabi Zhang ;Makoto Arita ;Xu Wang ;Zhengwei Chen ;Katsuhiko Saito ;Tooru Tanaka ;Mitsuhiro Nishio ;Teruaki Motooka ;Qixin Guo*;Qixin GUO;Qixin GUO
• 通讯作者: Qixin GUO