Study on high efficiency light emitting based on rare earth doped widegap oxide semiconductors
基于稀土掺杂宽禁带氧化物半导体的高效发光研究
基本信息
- 批准号：19K04492
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（20）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Epitaxial Growth and Characteristics of Gallium Oxide Based Ultrawide Bandgap Semiconductors
氧化镓基超宽带隙半导体的外延生长及特性
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Congyu Hu; Fabi Zhang; Katsuhiko Saito;Tooru Tanaka;and Qixin Guo;Qixin GUO;Qixin GUO;Qixin GUO;Qixin GUO
- 通讯作者：Qixin GUO
Low temperature growth of (AlGa)2O3 films by oxygen radical assisted pulsed laser deposition
- DOI：10.1039/c9ce01541h
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：Fabi Zhang;Congyu Hu;M. Arita;Katsuhiko Saito;Tooru Tanaka;Q. Guo
- 通讯作者：Fabi Zhang;Congyu Hu;M. Arita;Katsuhiko Saito;Tooru Tanaka;Q. Guo
Realization of red electroluminescence from Ga2O3:Eu/Si based light-emitting diodes
Ga2O3:Eu/Si基发光二极管红色电致发光的实现
- DOI：10.1016/j.spmi.2021.106814
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：Huang Yafei;Saito Katsuhiko;Tanaka Tooru;Guo Qixin
- 通讯作者：Guo Qixin
Strategy toward white LEDs based on vertically integrated rare earth doped Ga2O3 films
- DOI：10.1063/5.0060066
- 发表时间：2021-08-09
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Huang, Yafei;Saito, Katsuhiko;Guo, Qixin
- 通讯作者：Guo, Qixin
Low threshold voltage blue light emitting diodes based on thulium doped gallium oxides
- DOI：10.35848/1882-0786/ac10a7
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Zewei Chen;Katsuhiko Saito;Tooru Tanaka;Q. Guo
- 通讯作者：Zewei Chen;Katsuhiko Saito;Tooru Tanaka;Q. Guo
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