Achievement of Tailor-made Lighting Sources by the Control of Nanoscopic Carrier Localization in Nitride Semiconductors
通过控制氮化物半导体纳米级载流子局域化实现定制光源
基本信息
- 批准号:15H05732
- 负责人:
- 金额:$ 121.72万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-05-29 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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专利数量(0)
Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells
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- DOI:10.1063/1.4965844
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:T. Kojima;S. Takano;R. Hasegawa;D. Timmerman;A. Koizumi;M. Funato;Y. Kawakami;and Y. Fujiwara
- 通讯作者:and Y. Fujiwara
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- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R. Ishii;S. Shikata;M. Funato;and Y. Kawakami
- 通讯作者:and Y. Kawakami
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- DOI:10.3390/cryst7050123
- 发表时间:2017-05-01
- 期刊:
- 影响因子:2.7
- 作者:Kishimoto, Katsuhiro;Funato, Mitsuru;Kawakami, Yoichi
- 通讯作者:Kawakami, Yoichi
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致力于开发使用氮化物半导体的发光合成器
- DOI:10.11470/oubutsu.91.10_606
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Belle Alessandro;Kusada Kohei;Kitagawa Hiroshi;Perosa Alvise;Castoldi Lidia;Polidoro Daniele;Selva Maurizio;孫静(研究協力者)・林良子;川上養一
- 通讯作者:川上養一
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