Sputter Epitaxy of high-quality oxynitride semiconductors for optical switching devices
用于光开关器件的高质量氮氧化物半导体的溅射外延
基本信息
- 批准号：15H05431
- 负责人：
- 金额：$ 14.81万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)x(InN)1-x膜のフォトルミネッセンス
射频磁控溅射法制备(ZnO)x(InN)1-x薄膜的光致发光
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Itagaki;K. Matsushima;D. Yamashita;H. Seo;K. Koga;M. Shiratani;松島宏一，宮原奈乃華，岩崎和也，山下大輔， 徐鉉雄，古閑一憲，白谷正治，板垣奈穂
- 通讯作者：松島宏一，宮原奈乃華，岩崎和也，山下大輔， 徐鉉雄，古閑一憲，白谷正治，板垣奈穂
Sputter epitaxy of high quality (ZnO)x(InN)1-x: a new semiconducting material for excitonic devices
高质量 (ZnO)x(InN)1-x 溅射外延：用于激子器件的新型半导体材料
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Matsushima;R. Shimizu;T. Ide;D. Yamashita;H. Seo;K. Koga;M. Shiratani;N. Itagaki;R. Ishida and T. Tanabe;N. Itagaki
- 通讯作者：N. Itagaki
Room temperature fabrication of high-mobility amorphous In2O3:Sn films via nitrogen-mediated amorphization method
氮介导非晶化法室温制备高迁移率非晶In2O3:Sn薄膜
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Takasaki;W. Han;K. Iwasaki;K. Matsushima,D. Yamashita;H. Seo;K. Koga;M. Shiratani;N. Itagaki
- 通讯作者：N. Itagaki
Sputtering growth of (ZnO)x(InN)1-x semiconductor: a ZnO-based compound with bandgap tunability over the entire visible spectrum
(ZnO)x(InN)1-x 半导体的溅射生长：在整个可见光谱范围内具有带隙可调性的 ZnO 基化合物
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Itagaki;K. Matsushima;D. Ymashita;H. Seo;K. Koga;M. Shiratani
- 通讯作者：M. Shiratani
Spatial correlation between density fluctuations of high energy electrons and nanoparticles in amplitude modulated capactively coupled plasma
调幅电容耦合等离子体中高能电子和纳米颗粒密度波动的空间相关性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Zhou;K. Mori;H. Ohtomo;D. Yamashita;H. Seo;N. Itagaki;K. Koga;M. Shiratani
- 通讯作者：M. Shiratani
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Itagaki Naho其他文献
Cross-Correlation Analysis of Fluctuations of Interactions between Nanoparticles and Low Pressure Reactive Plasmas
纳米粒子与低压反应等离子体相互作用波动的互相关分析
- DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.941.2104 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Zhou Ren;Mori Kento;Ohtomo Hiroshi;Yamashita Daisuke;Seo Hyun Woong;Itagaki Naho;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu - 通讯作者：
Shiratani Masaharu
Performances of Carbon Black-Titanium nitrate and Carbon Black-Titanium/Triton X-100 Composite Polymer Counter Electrodes for Dye-Sensitized Solar Cells
染料敏化太阳能电池用炭黑-硝酸钛和炭黑-钛/Triton X-100复合聚合物对电极的性能
- DOI：
10.4028/www.scientific.net/amr.1168.35 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Chawarambwa Fadzai Lesley;Putri Tika Erna;Pankaj Attri;Kamataki Kunihiro;Itagaki Naho;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu - 通讯作者：
Shiratani Masaharu
Collective Punishment を通じた現在のパレスチナ占領政策制度の一考察
通过集体惩罚研究当前巴勒斯坦占领政策体系
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Hwang Sung-Hwa;Okumura Takamasa;Kamataki Kunihiro;Itagaki Naho;Koga Kazunori;Nakatani Tatsuyuki;Shiratani Masaharu;島本奈央 - 通讯作者：
島本奈央
Effects of Sputtering Pressure on (ZnO)<sub>x</sub>(InN)<sub>1-x</sub> Crystal Film Growth at 450°C
450℃溅射压力对(ZnO)<sub>x</sub>(InN)<sub>1-x</sub>晶体薄膜生长的影响
- DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.941.2093 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Itagaki Naho;Takeuchi Kazuto;Miyahara Nanoka;Imoto Kouki;Seo Hyun Woong;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu - 通讯作者：
Shiratani Masaharu
Ultra-High-Speed, Low-Power Superconductor Computing with Architectural Optimization
具有架构优化的超高速、低功耗超导计算
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Narishige Ryota;Yamashita Naoto;Kamataki Kunihiro;Okumura Takamasa;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu;Yabuta Hisato;Itagaki Naho;Koji Inoue - 通讯作者：
Koji Inoue
Itagaki Naho的其他文献
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- 作者：
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{{ truncateString('Itagaki Naho', 18)}}的其他基金
Fabrication of novel quantum/classical devices based on excitons
基于激子的新型量子/经典器件的制造
- 批准号：
19K21978 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 14.81万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
相似海外基金
Fabrication of novel excitonic devices using flux-controlled sputter epitaxy and study of exciton transport in the devices
利用通量控制溅射外延制造新型激子器件并研究器件中的激子输运
- 批准号：
18H01206 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 14.81万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)