A new approach of PFM development with high performance and accuracy considering complex stress loading and high energy beam irradiation

考虑复杂应力加载和高能束辐照的高性能和高精度 PFM 开发新方法

• 批准号: 20760576
• 负责人: NOGAMI Shuhei
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760576/
• 关键词: 核融合炉; プラズマ対向材料; タングステン合金; 複合応力負荷; ヘリウム; 表面損傷; 耐粒子線照射特性

Surface damage behavior due to helium ion irradiation under stress loading in nano-structured tungsten alloy was evaluated in order to estimate the applicability to plasma facing material. The current nano-structured tungsten alloy showed almost the same surface damage resistance as the commercial pure tungsten under low energy helium ion irradiation around 1000C when the irradiation fluence exceeded the peculiar value (1 x 10^<22>He/m^2in this study). Moreover, the effect of stress loading during helium ion irradiation was not clear above the peculiar fluence.

评估了纳米结构钨合金在应力负载下由于氦离子照射而导致的表面损伤行为，以评估其对等离子体表面材料的适用性。目前的纳米结构钨合金在1000℃左右的低能氦离子辐照下，当辐照注量超过特有值（本研究中为1 x 10^<22>He/m^2）时，表现出与商业纯钨几乎相同的表面损伤抵抗力）。此外，氦离子辐照过程中应力载荷的影响在特定注量以上并不明显。

项目成果

Improvement of Surface Exfoliation Behavior by Helium-ion Bombardment of a Tungsten Alloy Fabricated by Mechanical Alloying

氦离子轰击改善机械合金化钨合金表面剥落行为

• 发表时间: 2009
• 作者: 小川琢之;長谷川晃;栗下裕明;野上修平
• 通讯作者: 野上修平

Improvement of Surface Exfoliation Behavior by Helium-ion Bombardment of a Tungsten Alloy Fabricated by Mechanical Alloying

氦离子轰击改善机械合金化钨合金表面剥落行为

• 发表时间: 2009
• 作者: T.Ogawa; A.Hasegawa; H.Kurishita; S.Nogami
• 通讯作者: S.Nogami

Microstructure Development in Neutron Irradiated Tungsten Alloys

中子辐照钨合金的微观结构发展

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Tanno; M.Fukuda; S.Nogami; A.Hasegawa
• 通讯作者: A.Hasegawa

中性子照射挙動解析に基づくプラズマ対向機器用タングステンの適用性の検討

基于中子辐照行为分析的钨在等离子体面对设备中的适用性研究

• 发表时间: 2010
• 作者: 丹野敬嗣;福田誠;野上修平;田中照也;長谷川晃
• 通讯作者: 長谷川晃

ナノ構造タングステン合金のHeイオン照射による表面剥離抑制機構に関する研究

氦离子辐照抑制纳米钨合金表面剥落的机理研究

• 发表时间: 2008
• 作者: 小川琢之;野上修平;長谷川晃;栗下裕明
• 通讯作者: 栗下裕明