Development of Materials Informatics to Predict Polarization at Oxide Hetero-Interfaces

预测氧化物异质界面极化的材料信息学发展

基本信息

批准号：
15H03979
负责人：
Watanabe Takanobu
金额：
$ 10.73万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03979/
关键词：
電子・電気材料計算物理表面・界面物性ナノ材料

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

Atomistic Origin of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interface

高 k/SiO2 界面偶极层的原子起源

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Hijikata;S. Akahori;and T. Ohshima;Takanobu Watanabe
通讯作者：
Takanobu Watanabe

alency of cation rather than Oxygen Density may govern the Dipole Moment at high-k/SiO2 interfaces

高 k/SiO2 界面处的偶极矩可能受阳离子浓度而非氧密度的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Marc Perea;Okuto Takahashi;Koki Nakane;Nobuhiro Nagasawa;Takanobu Watanabe
通讯作者：
Takanobu Watanabe

ニューラルネットワークを用いた多元酸化物界面のダイポールモーメントの予測

使用神经网络预测多组分氧化物界面的偶极矩

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
中根滉稀;富田基裕;渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

分子動力学計算による異種酸化物界面のダイポール形成機構に関する考察

利用分子动力学计算探讨不同氧化物界面偶极子形成机制

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
金丸翔太;中川宣拓;高橋憶人;渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

ニューラルネットワークを用いたナノデバイス特性の機械学習

使用神经网络对纳米器件特征进行机器学习

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
古林せなみ;中根滉稀;小川雄己;富田基裕;渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

DOI：
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作者：
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Watanabe Takanobu其他文献

The Transformation of Methods of Timetabling in the New Education Movement

新教育运动时间安排方式的转变

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
Miyamoto Kenichiro;Yamasaki Yoko;Watanabe Takanobu;Yamana Jun;Peter Cunningham
通讯作者：
Peter Cunningham

Nano-scale evaluation of electrical tree initiation in silica/epoxy nano-composite thin film

二氧化硅/环氧树脂纳米复合薄膜中电树引发的纳米级评价

DOI：
10.23919/iseim.2017.8088759
发表时间：
2017
期刊：
Conference Proceedings of International Symposium Electrical Insulating Materials (ISEIM) 2017
影响因子：
0
作者：
Onishi Takuya;Hashimoto Shuichiro;Tomita Motohiro;Watanabe Takanobu;Mura Kotaro;Tsuda Toshihiro;Yoshimitsu Tetsuo
通讯作者：
Yoshimitsu Tetsuo

Development of interatomic potential of Ge(1- x-y )SixSny ternary alloy semiconductors for classical lattice dynamics simulation

用于经典晶格动力学模拟的 Ge(1- x-y )SixSny 三元合金半导体原子间势的发展

DOI：
10.7567/jjap.57.04fb04
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Tomita Motohiro;Ogasawara Masataka;Terada Takuya;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu

Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder

界面晶格无序的硅纳米线镍化率提高

DOI：
10.1063/1.4999195
发表时间：
2017
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Hashimoto Shuichiro;Yokogawa Ryo;Oba Shunsuke;Asada Shuhei;Xu Taiyu;Tomita Motohiro;Ogura Atsushi;Matsukawa Takashi;Masahara Meishoku;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu

Evaluation of controlled strain in silicon nanowire by UV Raman spectroscopy

通过紫外拉曼光谱评估硅纳米线中的受控应变

DOI：
10.7567/jjap.56.06gg10
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yokogawa Ryo;Hashimoto Shuichiro;Asada Shuhei;Tomita Motohiro;Watanabe Takanobu;Ogura Atsushi
通讯作者：
Ogura Atsushi