Precise Control of Nickelidation Process of Si Nanowires Utilizing Computational Physics

利用计算物理精确控制硅纳米线的镍化过程

基本信息

  • 批准号:
    26630135
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内の原子間ポテンシャルに関する考察
用分子动力学方法和分子轨道方法考虑SiGe混晶中的原子间势
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    富田 基裕;小椋 厚志;渡邉 孝信
  • 通讯作者:
    渡邉 孝信
Impact of thermal history of Si nanowire fabrication process on Ni silicidation rate
  • DOI:
    10.7567/jjap.53.085201
  • 发表时间:
    2014-07
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Hiroki Yamashita;Hiroki Kosugiyama;Yasuhiro Shikahama;S. Hashimoto;K. Takei;Jing Sun;T. Matsukawa;M. Masahara;Takanobu Watanabe
  • 通讯作者:
    Hiroki Yamashita;Hiroki Kosugiyama;Yasuhiro Shikahama;S. Hashimoto;K. Takei;Jing Sun;T. Matsukawa;M. Masahara;Takanobu Watanabe
ON current enhancement of nanowire Schottky barrier tunnel field effect transistors
纳米线肖特基势垒隧道场效应晶体管的导通电流增强
  • DOI:
    10.7567/jjap.55.04ed07
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kohei Takei;Shuichiro Hashimoto;Jing Sun;Xu Zhang;Shuhei Asada;Taiyu Xu;Takashi Matsukawa;Meishoku Masahara;and Takanobu Watanabe
  • 通讯作者:
    and Takanobu Watanabe
SiナノワイヤのNiシリサイド化速度へのポスト酸化アニールの影響
氧化后退火对Si纳米线Ni硅化率的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山本章太郎, 小瀬村大亮, 富田基裕, 武内一真, 横川凌, 米倉瑛介;澤野憲太郎, 野平博司, 小椋厚志;Katsuyoshi Fujiwara;ソン セイ, 橋本修一郎, 小杉山洋希, 武井康平, 麻田修平, 徐泰宇, 若水昂, 今井亮佑, 徳武寛紀, 松川貴, 富田基裕, 小椋厚志, 昌原明植, 渡邉孝信
  • 通讯作者:
    ソン セイ, 橋本修一郎, 小杉山洋希, 武井康平, 麻田修平, 徐泰宇, 若水昂, 今井亮佑, 徳武寛紀, 松川貴, 富田基裕, 小椋厚志, 昌原明植, 渡邉孝信
GeO2酸化膜を考慮したGeナノワイヤ構造の熱伝導率およびフォノン分散関係の分子動力学的解析
考虑GeO2氧化膜的Ge纳米线结构热导率与声子色散关系的分子动力学分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小出 隆太;志村 昴亮;橋本 修一郎;富田 基裕;渡邉 孝信
  • 通讯作者:
    渡邉 孝信
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Watanabe Takanobu其他文献

The Transformation of Methods of Timetabling in the New Education Movement
新教育运动时间安排方式的转变
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Miyamoto Kenichiro;Yamasaki Yoko;Watanabe Takanobu;Yamana Jun;Peter Cunningham
  • 通讯作者:
    Peter Cunningham
Nano-scale evaluation of electrical tree initiation in silica/epoxy nano-composite thin film
二氧化硅/环氧树脂纳米复合薄膜中电树引发的纳米级评价
Development of interatomic potential of Ge(1- x-y )SixSny ternary alloy semiconductors for classical lattice dynamics simulation
用于经典晶格动力学模拟的 Ge(1- x-y )SixSny 三元合金半导体原子间势的发展
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.04fb04
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Tomita Motohiro;Ogasawara Masataka;Terada Takuya;Watanabe Takanobu
  • 通讯作者:
    Watanabe Takanobu
Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder
界面晶格无序的硅纳米线镍化率提高
  • DOI:
    10.1063/1.4999195
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Hashimoto Shuichiro;Yokogawa Ryo;Oba Shunsuke;Asada Shuhei;Xu Taiyu;Tomita Motohiro;Ogura Atsushi;Matsukawa Takashi;Masahara Meishoku;Watanabe Takanobu
  • 通讯作者:
    Watanabe Takanobu
Molecular Dynamics of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2Interface
高 k/SiO2 界面偶极层形成的分子动力学
  • DOI:
    10.1149/08001.0313ecst
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田結荘 健,松本光玄,久松裕季,井上 順一郎,S. Sharmin,柳原英人,喜多英治;Watanabe Takanobu
  • 通讯作者:
    Watanabe Takanobu

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  • 通讯作者:
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A Comparative, Historical Study on the Conflict between "Internationalization" of Education and Preservation of "Heimat" in the New Education Movement
新教育运动中教育“国际化”与“家乡”保存冲突的比较历史研究
  • 批准号:
    17K04550
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of Materials Informatics to Predict Polarization at Oxide Hetero-Interfaces
预测氧化物异质界面极化的材料信息学发展
  • 批准号:
    15H03979
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  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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有机半导体激光器瞄准低激光阈值
  • 批准号:
    23H05406
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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  • 批准号:
    22K04226
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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用于操纵介电界面能带排列的界面电荷工程及其对器件特性的影响的演示
  • 批准号:
    21H04550
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Systematic engineering measures against intentional electromagnetic interference, electromagnetic information emanation, and other electromagnetic security issues
针对故意电磁干扰、电磁信息发射等电磁安全问题的系统工程措施
  • 批准号:
    21K03995
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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