Study on Limiting Factors of Electron Mobility in SiC MOS Inversion Channel with Improved Quality Interface

改善界面质量的SiC MOS反型沟道电子迁移率限制因素研究

基本信息

  • 批准号：
    15H03969
  • 负责人：
    Kita Koji
  • 金额：
    $ 10.82万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
酸化レートの変化からみた4H-SiC Si面ウェット酸化雰囲気中に共存する酸素の役割
从氧化速率变化角度分析4H-SiC Si表面湿式氧化气氛中共存氧的作用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Atsuo Sadakata;Dai Taguchi;Takaaki Manaka;Mitsumasa Iwamoto;石野田圭，平井悠久，喜多浩之
  • 通讯作者：
    石野田圭，平井悠久，喜多浩之
ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響
控制湿式氧化条件对4H-SiC C面MOS界面特性的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    土器屋翔平;水野英之;香月浩之;山下兼一;佐々木史雄;柳久雄;梶房裕之，喜多浩之
  • 通讯作者：
    梶房裕之，喜多浩之
Impact of Sacrificial Cosumption of Substrate By Thermal Oxidation on Electron Mobility of 4H-SiC MOSFETs
热氧化牺牲衬底消耗对 4H-SiC MOSFET 电子迁移率的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    貞方 敦雄;田口 大;間中 孝彰;岩本 光正;Koji Kita and Hirohisa Hirai
  • 通讯作者：
    Koji Kita and Hirohisa Hirai
Difference of Near-Interface SiO2 Structures between O2-oxidation and H2O-oxidation of 4H-SiC (0001) and Its Impact on MOS Interface Characteristics
4H-SiC(0001)O2氧化和H2O氧化近界面SiO2结构差异及其对MOS界面特性的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Koji Kita;Hirohisa Hirai;and Kei Ishinoda
  • 通讯作者：
    and Kei Ishinoda
In-Plane X-ray Diffractometry Study on Thermal Oxidation-induced Anomalous Lattice Distortion at 4H-SiC Surfaces
4H-SiC 表面热氧化引起的反常晶格畸变的面内 X 射线衍射研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takuya Hamada;Hayato Mukai;Tokio Takahashi;Toshihide Ide;Mitsuaki Shimizu;Hiroki Kuroiwa;Takuya Hoshii;Kuniyuki Kakushima;Hitoshi Wakabayashi;Hiroshi Iwai;and Kazuo Tsutsui;Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
  • 通讯作者：
    Adhi Dwi Hatmanto and Koji Kita
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Control of thermal oxidation of 4H-SiC(0001) to enhance MOSFET channel mobility by tuning partial pressures of oxidants (O2 and H2O) and oxidation temperature
通过调节氧化剂（O2 和 H2O）分压和氧化温度来控制 4H-SiC(0001) 的热氧化，以增强 MOSFET 沟道迁移率
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hirai Hirohisa;Ishinoda Kei;Kita Koji
  • 通讯作者：
    Kita Koji
Minimization of SiO2/4H-SiC (0001) Interface State Density by Low-Temperature Post-Oxidation-Annealing in Wet Ambient after Nitrogen Passivation
氮钝化后在湿环境中通过低温后氧化退火最小化 SiO2/4H-SiC (0001) 界面态密度
  • DOI：
    10.1149/08602.0061ecst
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kita Koji;Nishida Mizuki;Sakuta Ryota;Hirai Hirohisa
  • 通讯作者：
    Hirai Hirohisa
Anomalous temperature dependence of Al2O3/SiO2 and Y2O3/SiO2 interface dipole layer strengths
Al2O3/SiO2 和 Y2O3/SiO2 界面偶极层强度的反常温度依赖性
  • DOI：
    10.1063/1.5079926
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Nittayakasetwat Siri;Kita Koji
  • 通讯作者：
    Kita Koji
Significant Structural Distortion in the Surface Region of 4H-SiC Induced by Thermal Oxidation and Recovered by Ar Annealing
热氧化引起的 4H-SiC 表面区域显着的结构畸变并通过 Ar 退火恢复
  • DOI：
    10.1149/08612.0063ecst
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kita Koji;Hatmanto Adhi Dwi
  • 通讯作者：
    Hatmanto Adhi Dwi
Interface-Selective Low-Temperature Wet-O2 Annealing to Enhance 4H-SiC(0001) MOSFET Mobility by Improving Near Interface SiO2 Quality
界面选择性低温湿式 O2 退火通过提高近界面 SiO2 质量来增强 4H-SiC(0001) MOSFET 迁移率
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hirai Hirohisa;Ishinoda Kei;Kita Koji
  • 通讯作者：
    Kita Koji

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  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

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    $ 10.82万
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  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 10.82万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号：
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  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 10.82万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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使用超临界水制造的高可靠性 GaN 功率器件
  • 批准号：
    16H04332
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 10.82万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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