Plasma-Induced Formation of Nanoscale Ripple Structures on Surfaces

等离子体诱导表面纳米级波纹结构的形成

• 批准号: 15H03582
• 负责人: ONO Kouichi
• 金额: $ 11.15万
• 依托单位: Osaka University (2017)Kyoto University (2015-2016)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03582/
• 关键词: プラズマ加工; プラズマ化学; 表面・界面物性; 半導体超微細化; 微細加工形状; 反応粒子輸送; プラズマエッチング; プラズマ・表面過程揺動; 超微細加工形状

项目成果

Origin of plasma-induced surface roughening and ripple formation during plasma etching

等离子蚀刻过程中等离子引起的表面粗糙和波纹形成的根源

• 发表时间: 2016
• 作者: K. Ono;N. Nakazaki;H. Tsuda;Y. Takao;and K. Eriguchi
• 通讯作者: and K. Eriguchi

Surface rippling by oblique ion incidence during plasma etching of silicon: Experimental demonstration using sheath control plates

硅等离子蚀刻期间倾斜离子入射引起的表面波纹：使用鞘控制板的实验演示

• 发表时间: 2015
• 作者: Nobuya Nakazaki;Haruka Matsumoto;Koji Eriguchi;and Kouichi Ono
• 通讯作者: and Kouichi Ono

Plasma-surface interactions for top-down and bottom-up nanofabrication

自上而下和自下而上纳米加工的等离子体表面相互作用

• 发表时间: 2015
• 作者: 北野勝久;井川聡;中島陽一;谷篤史;K. Ono
• 通讯作者: K. Ono

Molecular dynamics simulations of Si etching in Cl- and Br-based plasmas: Cl+ and Br+ ion incidence in the presence of Cl and Br neutrals

• DOI: 10.1063/1.4937449
• 发表时间: 2015-12-21
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Nakazaki, Nobuya;Takao, Yoshinori;Ono, Kouichi
• 通讯作者: Ono, Kouichi

プラズマ・固体表面界面反応制御－表面ラフネスとリップルの形成機構と制御－

等离子体/固体表面界面反应控制-表面粗糙度和波纹的形成机理及控制-

• 发表时间: 2015
• 期刊: 応用物理
• 作者: 沖野友哉;鍋川康夫;緑川克美;斧 高一
• 通讯作者: 斧 高一