Plasma-Surface Interactions for Nanometer-scale Plasma Etching Processes

纳米级等离子体蚀刻过程中的等离子体-表面相互作用

• 批准号: 21340169
• 负责人: ONO Kouicti
• 金额: $ 11.73万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21340169/
• 关键词: プラズマ加工; プラズマ化学; 表面・界面物性; 半導体超微細化; 超微細加工形状; プラズマエッチング; 反応生成物; 表面ラフネス

As integrated circuit device dimensions continue to be scaled down, increasingly strict requirements are being imposed on plasma etching technology, including the precise control of profile, critical dimension, and roughness. Atomic-or nanometer-scale surface roughness has become an important issue to be resolved in the fabrication of next-generation nanoscale devices, because the roughness at the feature bottom and sidewalls affects the variability for gate or channel lengths and thus the variability in transistor performance. We have studied the formation of surface roughness during Si etching in Cl-based plasmas, through comparing experiments with numerical simulations of plasma-surface interactions and feature profile evolution on nanometer scale, using our own atomic-scale cellular model(ASCeM) and a classical molecular dynamics(MD) simulation.

随着集成的电路设备尺寸继续缩小，对等离子体蚀刻技术的越来越严格的要求，包括对轮廓，临界维度和粗糙度的精确控制。原子量或纳米尺度表面粗糙度已成为下一代纳米级设备中要解决的重要问题，因为特征底部和侧壁的粗糙度会影响门或通道长度的可变性，从而影响晶体管性能的可变性。我们通过使用我们自己的原子尺度细胞模型（ASCEM）和一个经典的经典，研究了基于Cl的等离子体中SI蚀刻过程中表面粗糙度的形成，并在纳米尺度上进行了数值模拟和特征曲线的演变。分子动力学（MD）模拟。

项目成果

先端エッチングプロセスのモデリングと体系化

先进蚀刻工艺的建模和系统化

• 发表时间: 2010
• 期刊: 化学と工業
• 作者: 三部賢治;川本竜彦;小野重明;斧高一
• 通讯作者: 斧高一

Effects of Mask Pattern Geometry on Plasma Etching Profiles

• DOI: 10.1143/jjap.48.096001
• 发表时间: 2009-09-01
• 期刊: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 1.5
• 作者: Fukumoto, Hiroshi;Eriguchi, Koji;Ono, Kouichi
• 通讯作者: Ono, Kouichi

高誘電率(High-k)材料のドライエッチング

高k材料的干法刻蚀

• 发表时间: 2011
• 作者: Okumura,S.;M.Nakamura;T. Fujioka;A. Tsuchiyama;S. Takeuchi;T. Nakano;K. Uesugi;K. Imadera and Y. Kishimoto;斧高一
• 通讯作者: 斧高一

Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching : Analysis of Profile Anomalies and Microscopic Uniformity

硅蚀刻的原子尺度细胞模型和轮廓模拟：轮廓异常和微观均匀性分析

• 发表时间: 2010
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: H. Tsuda;M. Mori;Y. Takao;K. Eriguchi;and K. Ono
• 通讯作者: and K. Ono

Numerical Study on Si Etching by Monoatomic Cl^+/Br^+ Beams and Diatomic Br_2^+/Cl_2^+/HBr^+Beams

单原子Cl^/Br^光束和双原子Br_2^/Cl_2^/HBr^光束刻蚀Si的数值研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: Jpn.J.App.Phys. Vo. 48, No. 7
• 作者: T.Nagaoka;H.Ohta;K.Eriguchi;K.Ono
• 通讯作者: K.Ono