Integration of III-V quatum dots laser on silicon photonic circuits

III-V 量子点激光器在硅光子电路上的集成

基本信息

批准号：
15K06029
负责人：
SHIMOMURA Kazuhiko
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Sophia University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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专利数量（0）

自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価

自催化VLS法评价InP/GaInAs/InP核多壳纳米线的光学性质

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
高野紘平;荻野雄大;朝倉啓太;和保孝夫;下村和彦
通讯作者：
下村和彦

直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作

使用直接键合 InP/Si 衬底的 GaInAsP 激光器原型

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
西山哲央;松本恵一;岸川純也;大貫雄也;鎌田直樹;下村和彦
通讯作者：
下村和彦

Lasing characteristics of GaInAsP stripe laser integrated on InP/Si substrate

InP/Si 衬底上集成 GaInAsP 条带激光器的激光特性

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Uchida;T. Nishiyama;N. Kamada;Y. Onuki;X. Han;Gandhi Kallarasan P.;H. Sugiyama;M. Aikawa;N. Hayasaka;and K. Shimomura
通讯作者：
and K. Shimomura

Low temperature lasing characteristics of GaInAsP double-hetero laser integrated on InP/Si substrate using direct wafer bonding

采用直接晶圆键合集成在 InP/Si 衬底上的 GaInAsP 双异质激光器的低温激光特性

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Nishiyama;K. Matsumoto;J. Kishikawa;T. Sukigara;Y. Onuki;N. Kamada;T. Kanke;and K. Shimomura
通讯作者：
and K. Shimomura

Fabrication of 1.5μm GaInAsP LD on InP/Si substrate using hydrophilic wafer bonding technique

采用亲水晶圆键合技术在 InP/Si 衬底上制造 1.5μm GaInAsP LD

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
P. Gandhi Kallarasan;T. Nishiyama;N. Kamada;Y. Onuki and K. Shimomura
通讯作者：
Y. Onuki and K. Shimomura

DOI：
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$ 3.16万
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批准号：
15H05700
财政年份：
2015
资助金额：
$ 3.16万
项目类别：
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

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批准号：
26420300
财政年份：
2014
资助金额：
$ 3.16万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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