Reconfigurable optical add/drop multiplexer with a function of optical reamplification, retiming and reshaping

具有光再放大、重定时和整形功能的可重构光分插复用器

基本信息

  • 批准号：
    20560334
  • 负责人：
    SHIMOMURA Kazuhiko
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    Sophia University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2008
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2008 至 2010
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

Wavelength selective switch using refractive index variation in the QW structure and semiconductor optical amplifier using QDs structure have studied to realize the reconfigurable optical add/drop multiplexer with a function of optical reamplification, retiming and reshaping. We have fabricated the wavelength switch that can demultiplex the wavelength and switch the output port. Fundamental wavelength switching has shown using refractive index change in the QW structure. We have successfully demonstrated the strain control of the QDs using double-cap procedure, and have obtained the QDs LED more than 400nm spectrum width by the control of QDs height and strain of buffer layer.
使用QW结构中的折射率变化和使用QDS结构的半导体光学放大器的波长选择性开关已经研究了，以实现可重新配置的光学添加/Drop多路复用器，并具有光学响应，录音和重塑的函数。我们已经制造了波长开关，该开关可以消除波长并切换输出端口。基本波长开关已使用QW结构中的折射率变化显示。我们已经成功地使用了双盖程序证明了QD的应变对照，并通过控制QDS高度和缓冲层的应变来获得QDS LED超过400nm频谱宽度。

项目成果

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专利数量（0）
lnP(001)基板上におけるInAs量子ドットの電流注入による屈折率変化量
由于在 lnP(001) 基板上电流注入 InAs 量子点而导致的折射率变化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    杉尾崇行;岩崎寛弥;清水優;茂木瑞穂;下村和彦
  • 通讯作者：
    下村和彦
ダブルキャップ法におけるInAs量子ドットのGaxInl-xAsセカンドキャップ層依存性
双盖法中 InAs 量子点的 GaxInl-xAs 第二盖层依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    赤石昌隆;斉藤泰仁;下村和彦
  • 通讯作者：
    下村和彦
Wavelength switching using GaInAs/InP MQW variable refractive-index arrayed waveguides by thermo-optic effect
利用 GaInAs/InP MQW 可变折射率阵列波导通过热光效应进行波长切换
  • DOI：
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
    IEICE Trans. Electron E91-C
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Shimizu;S. Kawabe;H. Iwasaki;T. Sugio;K. Shimomura
  • 通讯作者：
    K. Shimomura
熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの消費電力低減
降低热光 GaInAs/InP MQW 波长选择开关的功耗
  • DOI：
  • 发表时间：
    2010
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    村上洋介;杉尾崇行;谷村昂;下村和彦
  • 通讯作者：
    下村和彦
Selective MOVPE growth of InAs QDs using double-cap procedure
使用双帽程序选择性 MOVPE 生长 InAs 量子点
  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
    J. Crystal Growth
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    F. Kawashima;R. Kobie;Y. Suzuki;K. Shimomura
  • 通讯作者：
    K. Shimomura
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