High transition temperature in antiferromagnetic Cerium Kondo semiconductor
反铁磁铈近藤半导体的高转变温度
基本信息
- 批准号：15K05180
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
一軸圧力によるCeT2Al10(T=Ru, Os)のTNの異方的変化
单轴压力引起的 CeT2Al10 (T=Ru, Os) TN 的各向异性变化
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Pfaff F.;Fujiwara H.;Berner G.;Yamasaki A.;Niwa H.;Kiuchi H.;Gloskovskii A.;Drube W.;Gabel J.;Kirilmaz O.;Sekiyama A.;Miyawaki J.;Harada Y.;Suga S.;Sing M.;Claessen R.;竹内崇志,林慶介,梅尾和則,室裕司,高畠敏郎
- 通讯作者：竹内崇志,林慶介,梅尾和則,室裕司,高畠敏郎
3p-hole doping effect on the unusual antiferromagnetic transition in the Kondo semiconductor CeRu2Al10
3p 空穴掺杂对近藤半导体 CeRu2Al10 异常反铁磁转变的影响
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Muro;T. Fukuhara;T. Kuwai;K. Hayashi;T. Takabatake
- 通讯作者：T. Takabatake
Interplay between hybridization gaps and antiferromagnetic gap in the hole-doped Kondo semiconductor Ce(Os1-yRey)2Al10
空穴掺杂近藤半导体 Ce(Os1-yRey)2Al10 中杂化能隙与反铁磁能隙之间的相互作用
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J. Kawabata;T. Ekino;Y. Yamada;A.Sugimoto;Y. Muro;T. Takabatake
- 通讯作者：T. Takabatake
反強磁性近藤半導体CeOs2Al10の三段ギャップ構造に対するLa希釈効果
La稀释效应对反铁磁近藤半导体CeOs2Al10三阶能隙结构的影响
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：川端丈;浴野稔一;岡田泰洋;山田義大;杉本暁;室裕司;高畠敏郎
- 通讯作者：高畠敏郎
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