Elucidation of void structure near the interface of a-Si:H/c-Si heterojunctions
阐明 a-Si:H/c-Si 异质结界面附近的空隙结构
基本信息
- 批准号：15K04663
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価 －ボイドサイズと光学パラメータの相関普遍性に関する考察－
a-Si:H/c-Si异质界面附近的空洞结构的高速评估 - 关于空洞尺寸与光学参数之间相关性的普遍性的思考 -
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：松木 伸行;松井 卓矢;満汐 孝治;オローク ブライアン;大島 永康;上殿 明良
- 通讯作者：上殿 明良
Fast optical determination of microvoid size in hydrogenated amorpshous silicon layers based on data obtained from positron annihilation spectroscopy
基于正电子湮没光谱获得的数据快速光学测定氢化非晶硅层中的微孔尺寸
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Matsuki;N. Oshima;B. O’Rourke;A. Uedono
- 通讯作者：A. Uedono
a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価 －ボイドサイズ・水素結合・Si結合角ゆらぎの相互相関－
高速评估a-Si:H/c-Si异质界面附近的空隙结构 - 空隙尺寸、氢键和Si键角波动的互相关 -
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：松木 伸行;オローク ブライアン;大島 永康;上殿 明良
- 通讯作者：上殿 明良
Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry
通过正电子湮没和光谱椭圆光度法表征 a-Si:H/c-Si 异质结中的微孔结构
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：松木 伸行;オローク ブライアン;大島 永康;上殿 明良;山末 耕平，茅根 慎通，長 康雄;N. Matsuki
- 通讯作者：N. Matsuki
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Matsuki Nobuyuki其他文献
Nanometer-Flat DNA-Featured Thin Films Prepared via Laser Molecular Beam Deposition under High-Vacuum for Selective Methanol Sensing
高真空下激光分子束沉积制备纳米平面 DNA 薄膜，用于选择性甲醇传感
- DOI：
10.1246/bcsj.20220303 - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：
Murata Tomohiro;Minami Kosuke;Yamazaki Tomohiko;Sato Tomomasa;Koinuma Hideomi;Ariga Katsuhiko;Matsuki Nobuyuki - 通讯作者：
Matsuki Nobuyuki
Matsuki Nobuyuki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing
等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化
- 批准号：
18K03603 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on visible light recognition element using sequential deposited hydrogenated amorphous silicon film and artificial pigment
采用顺序沉积氢化非晶硅薄膜和人造色素的可见光识别元件的研究
- 批准号：
16K14059 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface
半导体表面等离子体诱导缺陷的产生与消灭机制
- 批准号：
15K04717 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on the formation of hydrogenated silicon films and silicon nano-structural materials obtained by electron-beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature
超低温电子束诱导化学气相沉积氢化硅薄膜及硅纳米结构材料的研究
- 批准号：
18550014 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
電界ストレス局所絶縁破壊による水素化アモルファスシリコン表面光誘起欠陥の直接観察
直接观察氢化非晶硅表面因电场应力局部介电击穿而产生的光致缺陷
- 批准号：
13750032 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)