Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface

半导体表面等离子体诱导缺陷的产生与消灭机制

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Science and Technology of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for High-Efficiency Silicon Solar Cells: Introduction
高效硅太阳能电池等离子体增强化学气相沉积科学与技术：简介
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    J. Plasma Fusion Res.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Nunomura;I. Sakata;K. Matsubara;S. Nunomura
  • 通讯作者：
    S. Nunomura
EFFECTS OF CARRIER TRAPPING ON SOLAR CELL PERFORMANCES
载流子捕获对太阳能电池性能的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shota Nunomura;Isao Sakata;and Koji Matsubara
  • 通讯作者：
    and Koji Matsubara
Experimental and simulation study on hydrogen atom kinetics in low-pressure capacitively coupled plasmas
低压电容耦合等离子体中氢原子动力学实验与模拟研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shota Nunomura;Hirotaka Katayama and Isao Yoshida
  • 通讯作者：
    Hirotaka Katayama and Isao Yoshida
シリコン PECVD 中の膜評価
硅 PECVD 期间的薄膜评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Nunomura;I. Sakata;K. Matsubara;S. Nunomura;S. Nunomura;布村正太
  • 通讯作者：
    布村正太
Optoelectronic properties of a-Si:H passivation layer for high-efficiency silicon heterojunction solar cells
高效硅异质结太阳能电池a-Si:H钝化层的光电特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shota Nunomura;Isao Sakata;and Koji Matsubara
  • 通讯作者：
    and Koji Matsubara
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Nunomura Shota其他文献

バフチンーヤクビンスキー理論の実践的な解釈可能性：教育実践研究を事例として 田島充士（編）『ダイアローグのことばとモノローグのことば：ヤクビンスキー論からみたバフチンの対話理論』pp.244-260
巴赫金-雅库宾斯基理论的实践解释：以教育实践研究为例田岛光志（主编）《对话词与独白词：雅库宾斯基理论视角下的巴赫金对话理论》，第244-260页
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Lozac’h Mickael;Nunomura Shota;Umishio Hiroshi;Matsui Takuya;Matsubara Koji;関口雄一・濱口佳和;田島充士
  • 通讯作者：
    田島充士
対話理論の立場から：バフチンが射程とする内的社会としての意識と異文化間交流 能智正博・大橋靖史（編）『ソーシャル・コンストラクショニズムと対人支援の心理学：理論・研究・実践のために』（pp.64-78）
从对话理论的角度看：巴赫金对内在社会意识和跨文化交流的关注 野地正宏和大桥靖（编） 社会建构主义和人际支持心理学：理论、研究和实践（第64-78页）
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Lozac'h Mickael;Nunomura Shota;Matsubara Koji;濱口佳和 ・渡邉健蔵;濱口佳和;田島充士
  • 通讯作者：
    田島充士
父母の虐待的養育行動が児童の社会的行動に及ぼす影響1ー小学生保護者用養育行動尺度(改訂版)「肯定的養育行動尺度」の構成
父母虐待性教养行为对孩子社会行为的影响1——小学生家长教养行为量表（修订版）《积极教养行为量表》的结构
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji;濱口佳和・廣瀬愛希子・金子楓
  • 通讯作者：
    濱口佳和・廣瀬愛希子・金子楓
親の能動的・反応的攻撃性 と共感性が 養育行動及び児童の攻撃行動に示す関連性の検討
检验父母主动/反应性攻击行为和养育行为同理心与儿童攻击行为之间的关系
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji;小学生の親の能動的・反応的攻撃性と共感性が養育行動に与える影響の検討;濱口佳和
  • 通讯作者：
    濱口佳和
In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing
等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
  • DOI：
    10.7567/1882-0786/ab128b
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
  • 通讯作者：
    Matsubara Koji

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

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  • 批准号：
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  • 财政年份：
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半導体表面近傍に偏析した分子状不純物の紫外線レーザラマン分光法による高感度分析
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
極端紫外光によるアモルファス半導体の光誘起現象の研究
极紫外光非晶半导体光致现象研究
  • 批准号：
    07750374
  • 财政年份：
    1995
  • 资助金额：
    $ 3.24万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

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