Establishment of Fundamental Engineering of Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Multi-Functional and Low-Power Electronics

多功能低功耗电子器件用锡相关IV族半导体材料基础工程的建立

• 批准号: 26220605
• 负责人: ZAIMA SHIGEAKI
• 金额: $ 115.32万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-05-30 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26220605/
• 关键词: 半導体物性; 結晶工学; 表面・界面物性; ゲルマニウム錫; エネルギーバンド; 結晶成長; 集積回路; Ⅳ族半導体; IV族半導体

项目成果

Challenges and opportunities of near and mid-infrared photonics based on SiGe and Ge

基于SiGe和Ge的近红外和中红外光子学的挑战和机遇

• DOI: 10.1149/07508.0447ecst
• 发表时间: 2016
• 期刊: ECS Trans.
• 作者: M. Takenaka;Y. Kim;J. Han;J. Kang;and S. Takagi
• 通讯作者: and S. Takagi

Focusing subwavelength grating coupler for mid-infrared suspended membrane germanium waveguides

• DOI: 10.1364/ol.42.002094
• 发表时间: 2017-06-01
• 期刊: OPTICS LETTERS
• 影响因子: 3.6
• 作者: Kang, Jian;Cheng, Zhenzhou;Goda, Keisuke
• 通讯作者: Goda, Keisuke

Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline properties

Si(001)衬底上Si1-x-ySnxCy三元合金层的生长及其晶体性能表征

• DOI: 10.7567/jjap.54.08ka11
• 发表时间: 2015
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: T. Yamaha;M. Kurosawa;W. Takeuchi;O. Nakatsuka;and S. Zaima
• 通讯作者: and S. Zaima

Selective epitaxial growth of Ge1-xSnx on Si by using metal-organic chemical vapor deposition

金属有机化学气相沉积在 Si 上选择性外延生长 Ge1-xSnx

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.10.013
• 发表时间: 2017
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: T. Washizu;S. Ike;Y. Inuzuka;W. Takeuchi;O. Nakatsuka;and S. Zaima
• 通讯作者: and S. Zaima

Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures By Using Synchrotron X-Ray Microdiffraction

同步辐射X射线微衍射分析Ge/Ge1-xSnx精细结构中的微观应变和晶体结构

• DOI: 10.1149/07508.0769ecst
• 发表时间: 2016
• 期刊: ECS Trans. 2016
• 作者: S. Ike;O. Nakatsuka;Y. Inuzuka;T. Washizu;W. Takeuchi;Y. Imai;S. Kimura;and S. Zaima
• 通讯作者: and S. Zaima