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Establishment of Fundamental Engineering of Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Multi-Functional and Low-Power Electronics
多功能低功耗电子器件用锡相关IV族半导体材料基础工程的建立
基本信息
- 批准号：26220605
- 负责人：
- 金额：$ 115.32万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-05-30 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization
- DOI：10.1063/1.4926507
- 发表时间：2015-07-13
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Takeuchi, Wakana;Taoka, Noriyuki;Zaima, Shigeaki
- 通讯作者：Zaima, Shigeaki
Selective epitaxial growth of Ge1-xSnx on Si by using metal-organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积在 Si 上选择性外延生长 Ge1-xSnx
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2016.10.013
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：T. Washizu;S. Ike;Y. Inuzuka;W. Takeuchi;O. Nakatsuka;and S. Zaima
- 通讯作者：and S. Zaima
Influence of precursor gas on SiGe epitaxial material quality in terms of structural and electrical defects
前体气体对 SiGe 外延材料质量在结构和电学缺陷方面的影响
- DOI：10.7567/jjap.55.04ej11
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Ike;E. Simoen;Y. Shimura;A. Hikavyy;W. Vandervorst;R. Loo;W. Takeuchi;O. Nakatsuka;and S. Zaima
- 通讯作者：and S. Zaima
Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-xSnx Fine Structures By Using Synchrotron X-Ray Microdiffraction
同步辐射X射线微衍射分析Ge/Ge1-xSnx精细结构中的微观应变和晶体结构
- DOI：10.1149/07508.0769ecst
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Ike;O. Nakatsuka;Y. Inuzuka;T. Washizu;W. Takeuchi;Y. Imai;S. Kimura;and S. Zaima
- 通讯作者：and S. Zaima
Growth of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layer on Si(001) substrate and characterization of its crystalline properties
Si(001)衬底上Si1-x-ySnxCy三元合金层的生长及其晶体性能表征
- DOI：10.7567/jjap.54.08ka11
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Yamaha;M. Kurosawa;W. Takeuchi;O. Nakatsuka;and S. Zaima
- 通讯作者：and S. Zaima
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ZAIMA SHIGEAKI其他文献
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