Elucidation of equilibrium reaction mechanism of Si surface carbonization using CO gas
阐明使用 CO 气体进行硅表面碳化的平衡反应机理
基本信息
- 批准号：16K20915
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
いろいろな半導体をつくる・はかる
制造和测量各种半导体
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Huihong Liu;Yoshiaki Morisada;Hidetoshi Fujii;出浦 桃子
- 通讯作者：出浦 桃子
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上へのGaNのMOVPE成長
通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上 GaN 的 MOVPE 生长
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Masaaki Nakai;Mitsuo Niinomi;Huihong Liu,Hidetoshi Fujii;朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
- 通讯作者：朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
Si表面炭化により形成したSiC薄膜上への窒化物半導体成長
Si表面碳化形成的SiC薄膜上氮化物半导体的生长
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：崔 正原;劉 恢弘;藤井 英俊;出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩
- 通讯作者：出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩
Si表面炭化基板上へのGaN成長のTMAl先行供給条件依存性
Si 表面碳化衬底上 GaN 生长对 TMAl 先前供应条件的依赖性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：青木 洋;青木 祥宏;劉 恢弘;藤井 英俊;朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
- 通讯作者：朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
Si基板上への高品質窒化物半導体成長に向けたSi表面炭化を用いたSiCバッファ層形成
利用 Si 表面碳化形成 SiC 缓冲层，以便在 Si 衬底上生长高质量氮化物半导体
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Huihong Liu;Hidetoshi Fujii;朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
- 通讯作者：朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩，出浦 桃子
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Momose Takeshi
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相似海外基金
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